"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности температурной зависимости концентрации электронов проводимости в узкощелевом и бесщелевом состоянии CdxHg1-xTe
Алиев С.А.1, Зульфигаров Э.И.1, Селим-заде Р.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 17 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Проанализированы результаты исследований удельной проводимости sigma и коэффициента Холла R в кристаллах CdxHg1-xTe с x=0.1,0.12,0.14,0.15 в интервалах температур T=4.2-300 K и магнитных полей B=0.005-2.22 Тл. По данным R(B) в слабых и сильных магнитных полях и по данным sigma(T) определены концентрации и подвижности электронов и дырок. Показано, что в исследованных образцах в области 4.2-15 K концентрация электронов n от T почти не зависит, с повышением T она возрастает согласно n propto Tr (r>3/2), причем r=f(n,T,x). Получено, что r изменяется от 1.7 для x=0.1 до 3.1 в составах с x=0.14 и 0.15. Результаты по n(T) сопоставлены с теорией, учитывающей непараболичность закона дисперсии varepsilon(T), и с теорией примесных состояний в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках. Показано, что постоянство n(T) до ~15 K и сильная зависимость n(T) (r>3/2) при более высоких температурах обусловлены интенсивной ионизацией электронов, локализованных на акцепторных состояниях.
  1. Б.Л. Гельмонт, М.И. Дьяконов. ЖЭТФ, 62 (2), 713 (1972)
  2. A. Manger, S. Otmezguines, C. Verit, J. Frildel. Phys. Rev., 12 (6), 2412 (1975)
  3. Б.Л. Гельмонт. ФТП, 9, 1912 (1975)
  4. М.А. Мехтиев. Изв. АН АзССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук, N 4, 412 (1975)
  5. М.А. Мехтиев, В.А. Калина. Изв. АН АзССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук, N 2, 68 (1982)
  6. Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985)
  7. С.А. Алиев. Явления переноса заряда и тепла в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках (Баку, Элм, 2008)
  8. С.А. Алиев, З.Ф. Агаев, Р.И. Селим-заде. ФТП, 42 (12), 1415 (2008)
  9. C.T. Elliott, I.L. Spain. Sol. St. Commun., 8 (24), 2063 (1970)
  10. I.M. Tsidilkovskii, M. Giriat, G.I. Kharus, E.A. Neifeld. Phys. Status Solidi B, 64 (2), 717 (1974)
  11. Л.А. Бовина, Ю.Н. Савченко, В.И. Стафеев. ФТП, 9 (11), 2084 (1975)
  12. В.И. Иванов-Омский, Б.И. Иванов, В.К. Огородников, Н.В. Смекалова. В кн. Полупроводники с узкой зоной и полуметаллы. Матер. IV Всес. симп. (Львов, 1975) с. 47
  13. Л.А. Бовина, В.П. Пономаренко, В.И. Стафеев. ФТП, 12 (11), 2207 (1975)
  14. Ю.Г. Арапов, Б.Б. Поникаров, И.М. Цидильковский, Н.Г. Шелушинина. ФТП, 13 (10), 684 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.