"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Об энергетических уровнях серебра в твердых растворах Ge-Si
Тагиров В.И.1, Агамалиев З.А.2, Садыхова С.Р.3, Гулиев А.Ф.3, Гахраманов Н.Ф.3
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Сумгаитский государственных университет, Сумгаит, Азербайджан
Поступила в редакцию: 7 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Посвящена излучению примесных состояний элемента I B подгруппы серебра в твердом растворе Ge-Si, содержащем 18 ат% Si. Донорный уровень Ag обнаружен в кристаллах, двукратно легированных галлием и серебром, а его первый акцепторный уровень --- в кристаллах, легированных только серебром. Монокристаллы получались вытягиванием из расплава с применением подпитывающего слитка. Легирование галлием обеспечивалось введением его в подпитивающий слиток, а Ag вводился в кристаллы методом диффузии. Из анализа температурной зависимости коэффициента Холла и уравнения электрической нейтральности кристалла определены глубины залегания донорного уровня и первого акцепторного уровня Ag от вершины валентной зоны, которые соответственно оказались равными 0.06 и 0.29 эВ.
  • В.И. Тагиров, С.И. Таиров, А.А. Кулиев, М.Г. Шахтахтинский. Кристаллография, 10, 751 (1965)
  • А.А. Бугаев, В.Е. Косенко, Е.Г. Миселюк. ЖТТ, 27, 1171 (1957)
  • Б.Н. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., ФМЛ, 1961)
  • В.И. Тагиров, Б.С. Алиева. ФТП, 4, 2182 (1970)
  • Б.С. Алиева. Автореф. канд. дис. (Баку, Ин-т физики АН АзССР, 1971)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.