Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница lambda0.1=5.2 мкм)
Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Мжельский И.В.2, Половинкин В.Г.2, Ременный М.А.1, Рыбальченко А.Ю.1, Стусь Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 25 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.
Представлен анализ пространственной неравномерности интенсивности отрицательной люминесценции и сгущения линий прохождения тока в фотодиодах среднего инфракрасного диапазона на основе InAsSb(P) в зависимости от величины приложенного напряжения и размера контакта. Показано, что указанная неравномерность является одной из основных причин низкой чувствительности фотодиодов, имеющих невысокое значение динамического сопротивления в нуле смещения и работающих в режиме фототока.
- Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь. ФТП, 45 (4), 54 (2011)
- J12 Series InAs Detectors. Каталог фирмы TELEDYNE JUDSON TECHNOLOGIES
- V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4228 (2001)
- В.М. Базовкин, Г.Л. Курышев, И.В. Мжельский, В.Г. Половинкин. Автометрия, 47 (5), 98 (2011)
- Г.А. Гаврилов, Б.А. Матвеев, Г.Ю. Сотникова. Письма ЖТФ, 37 (18), 50 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
