"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дифференциальная емкость p+-p-перехода
Шеховцов Н.А.1
1Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 1 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

Исследована дифференциальная емкость p+-p-перехода, которая образована изменением заряда в области перехода с учетом электрического поля в квазинейтральной p-области. Получена зависимость емкости и тока p+-p-перехода от напряжения в области перехода. Показано, что изменение знака емкости p+-p-перехода с ростом уровня инжекции вызвано уменьшением биполярной дрейфовой подвижности в p-области. Показано, что изменение знака емкости p+-p-перехода при увеличении обратного напряжения определяет уменьшение заряда в области перехода за счет преобладания роста отрицательного заряда ионов акцепторов над ростом положительного заряда дырок.
  1. Н.А. Шеховцов. ФТП, 43 (4), 456 (2009)
  2. J.B. Gunn. J. Electron. Control, 4 (1), 17 (1958)
  3. Z.T. Kuzniki. Electron. Technol., 12 (2), 15 (1979)
  4. Z.T. Kuzniki. Electron. Technol., 12 (3), 89 (1979)
  5. Л.И. Баранов, В.Б. Гаманюк, Д.А. Усанов. Физика полупроводников и полупроводниковая электроника (Саратов, Изд-во Сарат. ун-та, 1970) т. 3, с. 8
  6. А.Н. Шеховцов, Н.А. Шеховцов. Радиофизика и электроника (Сб. тр. ИРЭ НАНУ, Харьков), 5 (1), 147 (2000)
  7. Л.И. Баранов, В.Б. Гаманюк, Д.А. Усанов. Радиотехника и электроника, 13 (8), 1434 (1968)
  8. В.Б. Гаманюк, Д.А. Усанов. Радиотехника и электроника, 15 (3), 637 (1970)
  9. Л.И. Баранов, В.Б. Гаманюк, Д.А. Усанов. Физика полупроводников и полупроводниковая электроника (Саратов, Изд-во Сарат. ун-та, 1970) т. 3, с. 3
  10. В.С. Елисеев, А.В. Зеленцов. Электрон. техн., Сер., 3 (1), 49 (1989)
  11. Н.А. Шеховцов. Вестн. Харьк. нац. ун-та им. В.Н. Каразина. Радиофизика и электроника (Харьков), вып. 12, 54 (2008)
  12. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1962) с. 252
  13. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1963) с. 362
  14. G. Anant, A. Sabnis. Solid-State Electron., 22 (7), 667 (1979)
  15. W. Shockley. Bell Syst. Techn., 28 (3), 435 (1949)
  16. T. Misava. J. Phys. Soc. Jpn., 11 (7), 728 (1956)
  17. N.H. Fletcher. J. Electron., 2 (6), 609 (1957)
  18. J.R. Hauser. Solid-State Electron., 14 (2), 133 (1971)
  19. Н.М. Дударов. Сб.: Вопросы электросвязи (Рига, Зинатне, 1972)
  20. И.Н. Горбатый. Радиотехника и электроника, 33 (10), 2147 (1988)
  21. В.А. Киреев. Краткий курс физической химии (М., Химия, 1969) с. 219

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.