"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Морфология, элементный состав и механические свойства поликристаллических слоев теллурида кадмия
Курило И.В.1, Ильчук Г.А.1, Лукашук С.В.1, Рудый И.А.1, Украинец В.О.1, Чекайло Н.В.1
1Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
Поступила в редакцию: 16 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Представлены результаты исследования морфологии (размеры зерен, двойникование, акцессории роста), элементного состава и некоторых механических свойств поликристаллических слоев теллурида кадмия, осажденных на неориентирующие подложки в квазизамкнутом объеме. Установлены зависимости микротвердости от размера кристаллитов и толщины слоя. Проведены оценочные расчеты напряжений на границе раздела подложка-слой, вызыванных различием значений термических коэффициентов линейного расширения.
  1. С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.Ф. Плотников. ФТП, 36 (8), 937 (2002)
  2. S. Pizzini, N. Butta, M. Acciary, M. Acciarri. Springer Proc. in Phys., 54, 178 (1991)
  3. М.Г. Мильвидский. Полупроводниковые материалы в современной электронике (М., Наука, 1986)
  4. E.R. Shaaban, N. Afify, A. El-Taher. J. Alloys Comp., 482, 400 (2009)
  5. J. Luschitz, B. Siepchen, J. Schaffner, K. Lakus-Wollny, G. Haindl, A. Klein, W. Jaegermann. Thin Sol. Films, 517, 2125 (2009)
  6. H.R. Moutinho, F.S. Hasoon, F. Abulfotuh, L.L. Kazmerski. J. Vac. Sci. Technol. A 13 (6), 2877 (1995)
  7. Jui-Hsiang Pei, C.M. Lin, Der-San Chuu. Chinese J. Phys., 36 (1), 44 (1998)
  8. А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ЖТФ, 71 (4), 133 (2001)
  9. Youn-Ok Choia, Nam-Hoon Kim, Ju-Sun Parka, Woo-Sun Leea. Mater. Sci. Eng. B, 171, 73 (2010)
  10. Ю.Г. Ахроменко, С.Н. Бекеша, Г.А. Ильчук, И.В. Курило, С.П. Павлишин. Физ. электроника, 29, 51 (1984)
  11. I.V. Kurilo, I.O. Rudyi, I.Ye. Lopatynskyi, I.S. Virt, P. Sagan, J. Zawislak, M. Kuzma. Phys. Chem. Sol. St., 5 (4), 715 (2004)
  12. И.В. Курило, В.И. Кучма. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 18 (4), 569 (1982)
  13. С.А. Строителев. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников (Новосибирск, Наука, 1976)
  14. С.А. Дворецкий, В.И. Бударных, А.К. Гутаковский, В.Ю. Карасев, Н.А. Киселев, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, С.И. Стенин. Докл. АН СССР, 304 (3), 604 (1989)
  15. И.В. Потыкевич, И.В. Завалин, В.П. Клочков, А.И. Филлипова. Физ. электроника, 8, 45 (1974)
  16. Л.С. Палатник, Б.Т. Бойко, В.К. Сорокин, В.Е. Виноградов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 7 (7), 1132 (1971)
  17. F.A. Kroger, de Nobel. J. Electron., 1 (2), 190 (1955)
  18. H.F. Matare. Defect electronics in semiconductors (Wiley-Interscience, N.Y., a.o. 1971)
  19. W. Schroter, I. Kronewitz, U. Gnauert, F. Riedel, M. Seibt. Phys. Rev. B, 52 (13), 726 (1995)
  20. И.В. Курило, И.М. Спитковский, А.Д. Шнейдер. Укр. физ. журн., 19 (4), 651 (1974)
  21. И.В. Курило. Укр. физ. журн., 23 (4), 635 (1978)
  22. И.В. Курило, В.П. Алёхин, С.И. Булычев. Физико-механические свойства теллуридов кадмия, ртути и их твердых растворов. Препринт АН СССР. Ин-т металлургии им. А.А. Байкова (М., 1982)
  23. F. Buch, C.N. Ahlquist. J. Mater. Sci. Eng., 13 (2), 194 (1974)
  24. E.Y. Gutmanas, N. Travitzky, V. Plitt, P. Haasen. Scripta Metal., 4, 293 (1979)
  25. I.V. Kurilo, V.P. Alekhin, I.O. Rudyi, S.I. Bulychev, L.I. Osypyshin. Phys. Status Solidi A, 163 (1), 47 (1997)
  26. Landolt-Bornstein, New Series. Vol. 17/b Semiconductors: Physics of II-VI and I-VII Compounds, ed. O. Madelung (Berlin, Springer, 1982)
  27. D.G. Neerinck, T.J. Vink. Thin Sol. Films, 278 (1-2), 12 (1996)
  28. D. Bhattacharyya, M.J. Capter. Thin Sol. Films, 288 (1-2), 176 (1996)
  29. Е.А. Коленко. Технология лабораторного эксперимента. Справочник (СПб., Политехника, 1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.