"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Технологические особенности электронного облучения Si p+-n-n+-диодов при повышенных температурах
Марченко И.Г.1, Жданович Н.Е.1
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 14 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Изучено поведение времени жизни неравновесных носителей заряда taup, обратного тока IR и прямого падения напряжения UF в электронно-облученных (Eirr=6 МэВ) промышленных p+-n-n+-диодах при температурах облучения в интервале Tirr=20-400oC. Исследования проводились на образцах, изготовленных на монокристаллическом Si, легированном фосфором в процессе выращивания по Чохральскому (КЭФ) и с помощью ядерных реакций (КОФ). Показано, что путем выбора температурного режима технологического облучения, можно решить проблему достижения малых значений taup при минимальном росте UF и IR в быстродействующих диодах. Установлено, что при сопоставимых изменениях величины taup в базовом слое диодов, наилучшее соотношение UF и IR в образцах на КЭФ наблюдается при Tirr=300oC, а в образцах на КОФ --- при Tirr=350oC.
  1. В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
  2. N. Jankovic, P. Igic, N. Sakurai. Sol. St. Electron., 54 (3), 268 (2010)
  3. А.М. Сурма. Электричество, N 9, 20 (2006)
  4. P. Hazdra, J. Vobecky, H. Dorschner, K. Brand. J. Microelectron., 35, 249 (2004)
  5. Патент US N 7049674. Опубл. 23.05.2006. Патент BY N 11307. Опубл. 05.08.2008
  6. В.Н. Губарев, А.М. Сурма, А.В. Ковров. Прикладная физика, N 4, 85 (2001)
  7. И.Г. Марченко, Н.Е. Жданович. Письма ЖТФ, 36 (10), 45 (2010)
  8. Ф.П. Коршунов, И.Г. Марченко, Н.Е. Жданович. Изв. НАНБ. Сер. ф-м.н., 46 (3), 81 (2010)
  9. А.В. Синицын, В.С. Вавилов, В.Б. Глазман. ФТП, 8, 471 (1974)
  10. Ф.П. Коршунов, И.Г. Марченко. ФТП, 17, 540 (1983)
  11. Ф.П. Коршунов, И.Г. Марченко, В.Т. Трощинский. ДАН БССР, 29, 523 (1985)
  12. Т.А. Пагава. ФТП, 40, 919 (2006)
  13. Т.А. Пагава, Н.И. Майсурадзе. ФТП, 43, 750 (2009)
  14. B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  15. Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Мн., Наука и техника, 1978)
  16. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Под ред. Л.С. Смирнова. (Новосибирск, Наука, 1980)
  17. Ф.П. Коршунов, И.Г. Марченко, Н.Е. Жданович, В.Т. Трощинский. ДАН БССР, 32, 781 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.