"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотопроводимость пленок PbTe(In) с варьируемой микроструктурой
Черничкин В.И.1, Добровольский А.А.1, Дашевский З.М.2, Касиян В.А.2, Бельков В.В.3, Ганичев С.Д.3, Данилов С.Н.3, Рябова Л.И.1, Хохлов Д.Р.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Университет Бен-Гуриона, Бир Шева, Израиль
3Университет Регенсбурга, Регенсбург, Германия
Поступила в редакцию: 20 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

В работе показано, что микроструктура и особенности формирования поверхностных состояний в нано- и поликристаллических пленках PbTe(In) наиболее существенно влияют на характер фотопроводимости в области спектра 1--2.5 ТГц. Представлены результаты исследования и сравнительного анализа характера проводимости пленок PbTe(In) в области температур от 4.2 до 300 K в статическом режиме и в переменных электрических полях с частотой до 1 МГц, при подсветке белым светом и под действием импульсов мощных терагерцовых лазеров с длиной волны до 280 мкм.
  1. Z. Dashevsky, R. Kreizman, M.P. Dariel. J. Appl. Phys. 98, 094309 (2005)
  2. Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 20, 34 (1986); ФТП, 20, 38 (1986); ФТП, 21, 1352 (1987)
  3. R. Kreizman, N. Traistman, M. Shaked, Z. Dashevsky, M.P. Dariel. Key Eng. Materials, 336--338, 875 (2007)
  4. B.S. Kang, H.-T. Wang, L.-C. Tien, F. Ren, B.P. Gila, D.P. Norton, C.R. Abernathy, J. Lin, S.J. Pearton. Sensors, 6 (6), 643 (2006)
  5. T. Komissarova, D. Khokhlov, L. Ryabova, Z. Dashevsky, V. Kasiyan. Phys. Rev. B, 75, 195326 (2007)
  6. A. Dobrovolsky, V. Chernichkin, I. Belogorokhov, Z. Dashevsky, V. Kasiyan, L. Ryabova, D. Khokhlov. Phys. Status Solidi (C) 7, 869 (2010)
  7. С.Д. Ганичев, С.А. Емельянов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 35 (7), 297 (1982). [S.D. Ganichev, S.A. Emel'yanov, I.D. Yaroshetskii. JETP Lett., 35 (7), 368 (1982)]
  8. S.D. Ganichev, W. Prettl. Intense Terahertz Excitation of Semiconductors (Oxford University Press, Oxford, 2006)
  9. С.Д. Ганичев, Я.В. Терентьев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 11, 46 (1985) [S.D. Ganichev, Ya.V. Terent'ev, I.D. Yaroshetskii. Sov. Tech. Phys. Lett., 11, 20 (1985)]
  10. D. Khoklov, L. Ryabova, A. Nicorici, V. Shklover, S. Ganichev, S. Danilov, V. Bel'kov. Appl. Phys. Lett., 93, 264103 (2008)
  11. A. Dobrovolsky, T. Komissarova, B. Akimov, Z. Dashevsky, V. Kasiyan, D. Khokhlov, L. Ryabova. Int. J. Mater. Res., 100, 1252 (2009)
  12. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
  13. A.A. Dobrovolsky, Z.M. Dashevsky, V.A. Kasiyan, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Semicond. Sci. Technol., 24, 075010 (2009)
  14. А.А. Добровольский, Т.А. Комиссарова, З.М. Дашевский, В.А. Касиян, Б.А. Акимов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 43, 265 (2009)
  15. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
  16. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.