"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Основные особенности фотостимулированного переноса ионов в гетеропереходах на основе смешанных ионно-электронных (дырочных) проводников и модель тонкопленочного ионного ускорителя
Стецун А.И.1, Дворина Л.А.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Рассмотрены основные особенности фотостимулированного переноса ионов в гетероструктурах на основе смешанных ионно-электронных (дырочных) проводников. Показано, что за счет корректного использования действия определенных физических факторов и специального дизайна для такой гетероструктуры можно реализовать эффективное ускорение ионов. Таким способом можно создать тонкопленочный ионный ускоритель.
  1. А.И. Стецун. ФТТ, 46 (6), 1092 (2004)
  2. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  3. И.З. Индутный, М.Т. Костышин, О.П. Касярум, В.И. Минько, Е.В. Михайловская, П.Ф. Романенко. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1992)
  4. A.V. Kolobov, S.R. Elliott. Adv. Phys., 40 (5), 625 (1991)
  5. У. Моро. Микролитография (М., Мир, 1990)
  6. J. Bordogna, S.A. Keneman. Holographic Recording Media, ed. by H.M. Smith (Berlin, Springer 1977) p. 229
  7. М.Т. Костышин, П.Ф. Романенко, И.З. Индутный и др. Фундаментальные основы оптич. памяти и среды, 14, 85 (1983)
  8. A.P. Firth, P.S. Ewen, A.E. Owen. Structure Non-Cryst. Materials. Proc. 2nd Int. Conf. (Cambridge--London--N.Y., 1982)
  9. P.J.S. Ewen, W. Taylor. Philosophical Magazine B, 48 (4), L15 (1983)
  10. П.Ф. Романенко. Автореф. канд. дисс. (Киев, 1971)
  11. R. Ishikawa. Sol. St. Commun., 30, 99 (1979)
  12. A. Matsuda, M. Kikuchi. Sol. St. Commun., 13, 401 (1973)
  13. H. Kokado, I. Shimizu, T. Tatsuno, E. Inoue. J. Non-Cryst. Sol., 21, 225 (1976)
  14. И.З. Индутный, А.А. Кудрявцев, Е.В. Михайловская. Препринт N 10--91. Ин-т полупроводников АН УССР (Киев, 1991)
  15. S.T. Lakshmikumar. J. Non-Cryst. Sol., 88, 196 (1986)
  16. В.А. Данько, И.З. Индутный, А.А. Кудрявцев, В.И. Минько, А.И. Стецун. Укр. физ. журн., 36 (6), 937 (1991)
  17. A.V. Kolobov, G.E. Bedelbaeva. Phil Mag. B., 64, 21 (1991)
  18. A.I. Stetsun, I.Z. Indutnyi, V.G. Kravets. J. Non-Cryst. Sol. 202, 113 (1996)
  19. A.V. Stonski, M. Vlv cek, A.I. Stetsun, A. Sklenar, P.E. Shepeliavyi. J. Non-Cryst. Sol., 270, 129 (2000)
  20. А.И, Стецун. ФТП, 37 (10), 1197 (2003)
  21. В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969)
  22. В.Н. Чеботин, М.В. Перфильев. Электрохимия твердых электролитов (М., Химия, 1978)
  23. Е.А. Укше, Н.Г. Букун. Твердые электролиты (М., Наука, 1977)
  24. A. Feltz. J. Non-Cryst. Sol., 90, 545 (1987)
  25. K. Funke. J. Non-Cryst. Sol., 172, 1215 (1994)
  26. A. Pradel, M. Ribes. J. Non-Cryst. Sol., 172, 1315 (1994)
  27. А. Лидьярд. Ионная проводимость в кристаллах (М., Иностр. лит., 1962)
  28. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы (М., Энергоатомиздат, 1987)
  29. А.И. Стецун. Патент Украины на полезную модель N 31004. Промышленная собственность [Бюл. N 6 (2008)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.