"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование влияния сульфидной и ультрафиолетовой обработок поверхности n-i-GaAs на параметры омических контактов
Авдеев С.М.1, Ерофеев Е.В.2, Кагадей В.А.3
1Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
3ООО "Субмикронные технологии", Томск, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Исследована возможность улучшения параметров омических контактов на основе AuGe/Ni и Ge/Cu к n-i-GaAs с помощью модификации предварительно окисленной поверхности GaAs в сульфидсодержащем растворе, а также посредством воздействия ультрафиолетовым излучением, генерируемым эксимерной KrCl-лампой, на халькогенизированную поверхность. Показано, что предварительное окисление поверхности n-i-GaAs с последующей ее халькогенизацией позволяет уменьшить плотность поверхностных состояний, увеличить воспроизводимость процесса пассивации поверхности, а также в 1.5 раза уменьшить приведенное контактное сопротивление омических контактов AuGe/Ni. Обработка халькогенизированной поверхности n-i-GaAs ультрафиолетовым излучением с длиной волны lambda=222 нм и плотностью мощности излучения W=12 мВт·см-2, выполняемая в вакууме перед осаждением металлических слоев омических контактов Ge/Cu, позволяет уменьшить приведенное контактное сопротивление на 25--50%, а также улучшить морфологические характеристики поверхности контактной площадки.
  1. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 11 (1998)
  2. C.J. Sandroff, M.S. Hegde, L.A. Farrow, C.C. Chang, J.P. Harbinson. Appl. Phys. Lett., 54, 362 (1989)
  3. H.-C. Chiu, Y.-C. Huang, L.-B. Chang, F.-T. Chein. Semicond. Sci. Technol., 23, 11 (2008)
  4. H.-C. Chiu. IEEE Trans. Electron. Dev., 55, 3 (2008)
  5. H.-C. Chiu, Y.-C. Huang, L.-B. Chang, F.-T. Chien. Semicond. Sci. Technol., 23, 3 (2008)
  6. H.-C. Chiu, Y.-C. Huang, C.-W. Chen, L.-B. Chang. IEEE Trans. Electron. Dev., 55 (2008)
  7. H.-C. Chiu, L.-B. Chang, C.-W. Chen, Y.-J. Li, Y.-J. Chan. Electrochem. Sol.-St. Lett., 9, 10 (2006)
  8. C.J. Sandro, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischo, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  9. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin. Appl. Phys. Lett., 52, 2157 (1988)
  10. J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Jpn. J. Appl. Phys., 27, L1331 (1988)
  11. H.H. Lee, R.J. Racicot, S.H. Lee. Appl. Phys. Lett., 54, 724 (1989)
  12. K.C. Hwang, S.S. Li. J. Appl. Phys., 67, 2162 (1990)
  13. Y. Wang, Y. Darici, P.H. Holloway. J. Appl. Phys., 71, 2746 (1992)
  14. J.R. Waldrop. J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 1197 (1985)
  15. Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшкин, В.Д. Стругин. ЖТФ, 56, 913 (1986)
  16. N. Barbouth, Y. Berthier, J. Oudar, J.-M. Moison, M. Bensoussan. J. Electrochem. Soc., 133, 1663 (1986)
  17. L. Koenders, M. Blomacher, W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1416 (1988)
  18. L. Roberts, G. Hughes, B. Fennema, M. Carbery. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1862 (1992)
  19. M.G. Nooney, V. Liberman, R.M. Martin. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, 1837 (1995)
  20. G.Y. Gu, E.A. Ogryzlo, P.C. Wong, M.Y. Zhou, K.A.R. Mitchell. J. Appl. Phys., 72, 762 (1992)
  21. R.S. Bhide, S.V. Bhoraskar, V.J. Rao. J. Appl. Phys., 72, 1464 (1992)
  22. C.J. Sandro, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischo, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  23. S.-Y. Cheng, S.-I. Fu, T.-P. Chen, P.-H. Lai, R.-C. Liu, K.-Y. Chu, L.-Y. Chen, W.-C. Liu. IEEE Trans. Dev. Mater. Reliability, 6, 4 (2006)
  24. H.H. Berger. Sol. St. Electron., 15, 145 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.