"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Природа электрического взаимодействия контактов Шоттки
Торхов Н.А.1
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Электрическое влияние между собранными в диодную матрицу контактами металл-полупроводник с барьером Шоттки проявляется в значительном изменении их поверхностного потенциала и статических вольт-амперных характеристик. Необходимым условием возникновения электрического взаимодействия между такими контактами является наличие вокруг них распространяющегося на достаточно большие расстояния (<30 мкм) электрического поля периферии --- ореола. Достаточным условием является наличие областей перекрытия этих ореолов. Было показано, что изменение поверхностного потенциала и вольт-амперных характеристик контактов происходит под влиянием собственного электрического поля периферии контакта, а также под влиянием электрического поля периферии матрицы, образованного суперпозицией электрических полей ореолов образующих ее контактов. Степень такого влияния определяется расстоянием между контактами, а также полным суммарным зарядом областей пространственных зарядов всех контактов матрицы: их количеством, размерами (диаметром Di,j), концентрацией легирующей примеси в полупроводнике ND и физической природой системы металл-полупроводник с барьером Шоттки (величиной varphib). Было установлено, что сближение контактов приводит к относительному уменьшению порогового значения "мертвой" зоны на прямых вольт-амперных характеристик, увеличению эффективной высоты барьера и незначительному увеличению показателя идеальности. Увеличение суммарной площади контактов (суммарного электрического заряда ОПЗ) в матрице приводит к увеличению порогового значения "мертвой" зоны, относительному понижению эффективной высоты барьера и незначительному увеличению показателя идеальности.
  1. Н.А. Торхов. Деп. в ВИНИТИ N 334-D2008 от 18.04.2008
  2. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. Поверхность, 11, 1 (2009)
  3. Н.А. Торхов, В.А. Новиков. ФТП, 45 (1), 70 (2011)
  4. Н.А. Торхов. ФТП, 44 (5), 615 (2010)
  5. Н.А. Торхов. ФТП, 44 (6), 767 (2010)
  6. N.F. Mott. Proc. Camb. Phil. Soc., 34. 568 (1938)
  7. E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal-semiconductor contacts, 2nd edn (Clarendon, Oxford, 1988)
  8. S.M. Sze. Modern Semiconductor Device Physics (John Wiley \& Sons Inc., 1997)
  9. В.Г. Божков, С.Е. Зайцев. РЭ, 52 (1), 97 (2007)
  10. М.И. Векслер. ФТП, 30 (9), 1718 (1996)
  11. Н.Л. Чуприков. ФТП, 30 (3), 443 (1996)
  12. Н.А. Торхов. ФТП, 35 (7), 823 (2001)
  13. И.А. Обухов. Моделирование переноса заряда в мезоскопических структурах (Севастополь, Вебер, 2005) с. 165
  14. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП, 36 (5), 537 (2002)
  15. www.ntmdt-tips.com
  16. В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Н.Новгород, Ин-т физики микроструктур РАН, 2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.