Электрическое влияние между собранными в диодную матрицу контактами металл-полупроводник с барьером Шоттки проявляется в значительном изменении их поверхностного потенциала и статических вольт-амперных характеристик. Необходимым условием возникновения электрического взаимодействия между такими контактами является наличие вокруг них распространяющегося на достаточно большие расстояния (<30 мкм) электрического поля периферии - ореола. Достаточным условием является наличие областей перекрытия этих ореолов. Было показано, что изменение поверхностного потенциала и вольт-амперных характеристик контактов происходит под влиянием собственного электрического поля периферии контакта, а также под влиянием электрического поля периферии матрицы, образованного суперпозицией электрических полей ореолов образующих ее контактов. Степень такого влияния определяется расстоянием между контактами, а также полным суммарным зарядом областей пространственных зарядов всех контактов матрицы: их количеством, размерами (диаметром D_i,j), концентрацией легирующей примеси в полупроводнике N_D и физической природой системы металл-полупроводник с барьером Шоттки (величиной varphi_b). Было установлено, что сближение контактов приводит к относительному уменьшению порогового значения "мертвой" зоны на прямых вольт-амперных характеристик, увеличению эффективной высоты барьера и незначительному увеличению показателя идеальности. Увеличение суммарной площади контактов (суммарного электрического заряда ОПЗ) в матрице приводит к увеличению порогового значения "мертвой" зоны, относительному понижению эффективной высоты барьера и незначительному увеличению показателя идеальности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.