Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние параметров AlGaAs--(AlGa)_xO_y пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек

Крыжановская Н.В., Блохин С.А.^1,2, Максимов М.В.^1,2, Надточий А.М., Жуков А.Е.^1,2, Федорова К.В.¹, Леденцов Н.Н.^2,3, Устинов В.М.², Ильинская Н.Д.², Бимберг Д.³

¹Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat,, Berlin, Germany

Поступила в редакцию: 22 декабря 2010 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние параметров слоя AlGaAs-(AlGa)_xO_y, образующего пьедестал микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs квантовых точек, на особенности спектра излучения при температуре 15 K и оптической накачке. Уменьшение глубины окисления слоя Al_0.97Ga_0.03As приводит к падению интенсивности линий мод "шепчущей галереи", увеличению порога лазерной генерации и уменьшению добротности вследствие увеличения утечек в область подложки.

S.L. McCall, A.F. Levi, R.E. Slusher, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 60, 289 (1992)
Н.В. Крыжановская, С.А. Блохин, А.Г. Гладышев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Э. Шток, Д. Бимберг. ФТП, 40, 1128 (2006)
E. Peter, I. Sagnes, G. Guirlo, S. Varoutsis, J. Bloch, A. Lema\^itre, P. Senellart. Appl. Phys. Lett., 86, 021 103 (2005)
M. Fujita, K. Inoshita, T. Baba. Electron. Lett., 34, 278 (1998)
Shinichi Koseki, Bingyang Zhang, Kristiaan De Greve, Yoshihisa Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 94, 051 110 (2009)
А.М. Надточий, С.А. Блохин, А.В. Сахаров, М.М, Кулагина, Ю.М. Задиранов, Н.Ю. Гордеев, М.В. Максимов, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Е. Шток, Т. Варминг, Д. Бимберг. ФТП, 42, 1247 (2008)
С.А. Блохин, А.Н. Смирнов, А.В. Сахаров, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, Д.А. Бедарев, Е.В. Никитина, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 39, 782 (2005)
Shouyuan Shi, Dennis W. Prather, Liuqing Yang, James Kolodzey. Opt. Eng., 42, 383 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель