"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость проводимости освещенного неидеального гетероперехода от внешнего смещения
Борщак В.А.1, Смынтына В.А.1, Бритавский Е.В.1, Балабан А.П.1, Затовская Н.П.1
1Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 28 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Показана возможность применения туннельно-прыжковой модели токопереноса для расчета проводимости в барьерной области освещенного неидеального гетероперехода. Проведен расчет вольт-амперной характеристики гетероперехода с учетом преобладания туннельно-прыжкового механизма переноса в барьерной области и с учетом изменения формы потенциального барьера при освещении. Показано, что рассчитанные при разных уровнях освещения вольт-амперные характеристики такого гетероперехода хорошо совпадают с наблюдаемыми экспериментально.
  1. В.А. Борщак, Д.Л. Василевский. ФТП, 23, 2076 (1989)
  2. V.A. Smyntyna, V.A. Borschak, M.I. Kutalova, N.P. Zatovskaya, A.P. Balaban. In: Photoelectronics (Odessa, Ukraine, 2005) v. 14, p. 5
  3. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 42. [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford, Clarendon Press, 1971) v. 1]
  4. D.L. Vasilevski, M.S. Vinogradov, V.A. Borschak. Appl. Surf. Sci., 103, 383 (1996)
  5. D.L. Vasilevski. Sensors Actuators, A 55, 167 (1996)
  6. D.L. Vasilevski, V.A. Borschak, P.A. Victor, M.S. Vinogradov, N.P. Zatovskaya. Sensors Actuators, A 45, 191 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.