Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимость проводимости освещенного неидеального гетероперехода от внешнего смещения
1Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина 
Поступила в редакцию: 28 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.
Показана возможность применения туннельно-прыжковой модели токопереноса для расчета проводимости в барьерной области освещенного неидеального гетероперехода. Проведен расчет вольт-амперной характеристики гетероперехода с учетом преобладания туннельно-прыжкового механизма переноса в барьерной области и с учетом изменения формы потенциального барьера при освещении. Показано, что рассчитанные при разных уровнях освещения вольт-амперные характеристики такого гетероперехода хорошо совпадают с наблюдаемыми экспериментально.
- В.А. Борщак, Д.Л. Василевский. ФТП, 23, 2076 (1989)
- V.A. Smyntyna, V.A. Borschak, M.I. Kutalova, N.P. Zatovskaya, A.P. Balaban. In: Photoelectronics (Odessa, Ukraine, 2005) v. 14, p. 5
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 42. [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford, Clarendon Press, 1971) v. 1]
- D.L. Vasilevski, M.S. Vinogradov, V.A. Borschak. Appl. Surf. Sci., 103, 383 (1996)
- D.L. Vasilevski. Sensors Actuators, A 55, 167 (1996)
- D.L. Vasilevski, V.A. Borschak, P.A. Victor, M.S. Vinogradov, N.P. Zatovskaya. Sensors Actuators, A 45, 191 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
