Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние морфологии и состава фаз поверхности на радиационную стойкость гетерофазного материала CdS-PbS

Маляр И.В.¹, Стецюра С.В.¹

¹Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия Saratov State University, Saratov, Russia

Saratov State University, Saratov, Russia

Поступила в редакцию: 22 декабря 2010 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В результате комплексного исследования гетерофазного фоточувствительного материала CdS-PbS с помощью методов сканирующей электронной микроскопии и оже-спектрометрии была обнаружена зависимость радиационной стойкости указанного материала от морфологии и состава фаз на его поверхности. Показано, что с ростом температуры отжига происходит рост скоплений с преимущественным содержанием PbS и изменение их состава вследствие реакции замещения атомов серы атомами кислорода. Последний из указанных процессов приводит к снижению радиационной стойкости гетерофазного фоточувствительного материала CdS-PbS, что объясняется снижением геттерирования ввиду возникновения промежуточного оксидированного слоя между PbS и CdS. Рост размеров и числа сферических скоплений на поверхности, состоящих из кристаллитов с преимущественным содержанием PbS, приводит к увеличению радиационной стойкости.

Г.Л. Мирончук, Г.Е. Давидюк, В.В. Божко, В. Кажукаускас. ФТП, 44 (5), 694 (2010)
Г.Е. Давидюк, А.Г. Кевшин, В.В. Божко, В.В. Галян. ФТП, 43 (11), 1441 (2009)
Г.Е. Давидюк, В.В. Божко, Л.В. Булатецкая. ФТП, 42 (10), 1263 (2008)
Г.Е. Давидюк, В.В. Божко, Г.Л. Мирончук, В.З. Панкевич. ФТТ, 49 (12), 2133 (2007)
А.Г. Роках. Письма ЖТФ, 10 (13), 820 (1984)
В.Э. Бухаров, А.Г. Роках, С.В. Стецюра. ЖТФ, 73 (2), 93 (2003)
А.Г. Роках, А.В. Кумаков, Н.В. Елагина. Патент 845685 РФ, МКИ Н 01 Ь 21/30/. Заявлено 07.02.80. Опубл. 01.07.93. Бюл. N 25
С.В. Стецюра, И.В. Маляр, А.А. Сердобинцев, С.А. Климова. ФТП, 43 (8), 1102 (2009)
А.А. Сердобинцев. Автореф. канд. дис. (Саратов, Сарат. гос. ун-т, 2006)
В.А. Извозчиков, О.А. Тимофеев. Фотопроводящие окислы свинца в электронике (Л., Энергия, 1979)
K. Kanaya, S. Okayama. J. Phys. D, 5, 43 (1972)
З.И. Кирьяшкина, А.Г. Роках, Н.Б. Кац и др. Фотопроводящие пленки ( типа CdS) сульфида кадмия (Саратов, Изд-во Сарат. ун-та, 1979)
В.Н. Томашик, В.И. Грицив. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений A^IIB^VI. Справочник (Киев, Наук. думка, 1982)
А. Вехт. В сб. Физика тонких пленок, под ред. Г. Хасса, Р.Э. Туна (М., Мир, 1968) т. 3, с. 173
В.А. Степанов. ЖТФ, 68 (8), 67 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель