"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нестационарная спектроскопия alpha-центров Рывкина
Одринский А.П.1
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
Поступила в редакцию: 22 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Рассмотрены особенности DLTS-регистрации дефектов, обладающих склонностью к перезахвату термически возбуждаемых носителей вследствие большой величины эффективного сечения захвата. Обнаружены признаки, позволяющие идентифицировать реализацию данной модели.
  1. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  2. Р.М. Mooney. Semiconductors and Semimetals (Academic Press, London, 1999) v. 51B, p. 102
  3. Ch. Hurter, M. Boulon, A. Mitonnear, D. Bois. Appl. Phys. Lett., 32, 821 (1978)
  4. G. Micocci, P. Siciliano, A. Tepore. J. Appl. Phys., 67, 6581 (1990)
  5. А.П. Одринский. ФТП, 44, 883 (2010)
  6. Y. Cui, R. Dupere, A. Burger, D. Johnstone, C. Mandal, S.A. Payne. J. Appl. Phys., 103, 013 710 (2008)
  7. J.C. Balland, J.P. Zielinger, C. Noguet, M. Tapiero. J. Phys. D: Appl. Phys., 19, 57 (1986)
  8. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  9. А.П. Одринский. ФТП, 39, 660 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.