"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности механизма "априорного" сильного легирования интерметаллического полупроводника n-TiNiSn
Ромака В.А.1,2, Rogl P.3, Ромака В.В.2, Hlil E.K.4, Стаднык Ю.В.5, Буджерак С.М.2
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, А- Вена, Австрия
4Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
5Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 21 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-TiNiSn. Определены природа "априорного легирования" n-TiNiSn донорами как результат частичного, до 0.5 ат%, перераспределения атомов Ti и Ni в кристаллографических позициях Ti. Установлена корреляция между концентрацией доноров, амплитудой модуляции зон непрерывных энергий, а также степенью заполнения носителями заряда потенциальных ям мелкомасштабных флуктуаций. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского--Эфроса.
  1. Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1979)
  2. Yu.V. Stadnyk, V.A. Romaka, Yu.K. Gorelenko, L.P. Romaka, D. Fruchart, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 400, 29 (2005)
  3. D. Fruchart, V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, Yu.K. Gorelenko, M.G. Shelyapina, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 438, 8 (2007)
  4. В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41 (9), 1059 (2007)
  5. В.А. Ромака, D. Fruchart, E.K. Hlil, Р.Е. Гладышевский, D. Gignoux, В.В. Ромака, Б.С. Кужель, Р.В. Крайовский. ФТП, 44 (3), 310 (2010)
  6. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  7. S. Ogut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51 (16), 10 443 (1995)
  8. Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык, В.К. Печарский. Письма ЖЭТФ, 45 (11), 535 (1987)
  9. C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. B, 59 (13), 8615 (1999)
  10. K. Ahilan, M.C. Bennett, M.C. Aronson, N.E. Anderson, P.C. Canfield. Phys. Rev. B, 69, 1492 (2004)
  11. S. Ishida, T. Masaki, S. Fujii, S. Asano. Physica B, 237--238, 363 (1997)
  12. R. Ferro, A. Saccone. Intermetallic Chemistry (Amsterdam, Elsevier, 2008)
  13. Ф.Г. Алиев, Р.В. Сколоздра. Тез. докл. V Всес. конф. по кристаллохимии интерметаллических соединений (Львов, ЛьвовГУ, 1989) с. 10
  14. P. Larson, S.D. Mahanti, M.G. Kanatzidis. Phys. Rev. B, 62 (19), 12 754 (2000)
  15. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
  16. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
  17. L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. Collected Abstract 12th Europ. Crystallographic Meeting (M., Nauka, 1989) p. 155
  18. H. Akai. J. Phys.: Condens. Matter, 43, 8045 (1989)
  19. H. Overhof, W. Beyer. Phil. Mag. B, 43 (3), 433 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.