"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии
Сошников И.П.1,2, Афанасьев Дм.Е.3, Цырлин Г.Э.1,2,4, Петров В.А.1,2, Танклевская Е.М.2, Самсоненко Ю.Б.1,2,4, Буравлев А.Д.1,2, Хребтов А.И.2, Устинов В.М.1,2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Проведено экспериментальное исследование процессов формирования упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs на положках GaAs(111)B методами электронной литографии и каталитического роста в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены основные параметры электронно-литографического процесса для формирования каталитических капель Au с размерами от 10 до 150 нм. Установлено, что последующий рост при молекулярно-пучковой эпитаксии протекает по преимущественно диффузионному механизму. Показано, что на участках с повторным экспонированием в электронном пучке после "взрывного" (lift off) процесса может наблюдаться подавление роста нитевидных нанокристаллов.
  1. A.I. Persson, L.E. Froberg, L. Samuelson, H. Linke. Nanotechnology, 20, 225 304 (2009)
  2. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43, 1585 (2009)
  3. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3 (4) 112 (2009)
  4. X. Mei, D. Kim, H.E. Ruda, Q.X. Guo. Appl. Phys. Lett., 81 (2), 361 (2002)
  5. J. Noborisaka, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui. Appl. Phys. Lett., 87, 093 109 (2005)
  6. C.M. Sotomayor Torres, F.D. Wang, N.N. Ledentsov, Y.-S. Tang. Proc. SPIE, 2141, 2 (1994)
  7. Optical properties of Low Dimensional Semiconductors, ed. by G. Abstreiter, A. Aydinli, J.-P. Leburton [NATO ASI Series. E: Applied Sciences (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, The Netherlands, 1997) v. 344]
  8. M.-F. Ng, L. Zhou, S.-W. Yang, L.Y. Sim, V.B.C. Tan, P. Wu. Phys. Rev. B, 76, 155 435 (2007)
  9. J.N. Randall, M.A. Reed, T.M. Moore, R.J. Matyi, J.W. Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 6 (1), 302 (1998)
  10. H.E. Ruda, J.C. Polanyi, J.S.Y. Yang, Z. Wu, U. Philipose, T. Xu, S. Yang, K.L. Kavanagh, J.Q. Liu, L. Yang, Y. Wang, K. Robbie, J. Yang, K. Kaminska, D.G. Cooke, F.A. Hegmann, A.J. Budz, H.K. Haugen. Nanoscale Res. Lett., 1, 99 (2006)
  11. A.I. Persson, L.E. Froberg, L. Samuelson, H. Linke. Nanotechnology, 20, 225304 (2009)
  12. I.A. Dmitriev, R.A. Suris. Phys. Status Solidi A, 202 (6), 987 (2005)
  13. N.N. Ledentsov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, I.P. Soshnikov, V.A. Shchukin, V.M. Ustinov, A.Y. Egorov, A.E. Zhukov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.V. Preobrazhenskii, B.P. Semyangin, D. Bimberg, Z.I. Alferov. J. Electron. Mater., 30 (5), 463 (2001)
  14. D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, G.A. Ljubas, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, I.P. Soshnikov. Appl. Phys. Lett., 81, 1080 (2002)
  15. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, B.V. Volovik, V.M. Ustinov, D. Litvinov. D. Gerthsen. Physica Status Solidi B, 224 (2) 503 (2001)
  16. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  17. B. Charlot, W. Sun, K. Yamashita, H. Fujita, H. Toshiyoshi. J. Micromech. Microeng., 18, 045 005 (2008)
  18. Y. Gebremichael, A. Sanchez, X. Borrise, M. Schmidt, A.R. Goci, M.I. Alonso, R. Rurali, J. Sune, X. Cartoixa, F. Perez-Murano. Microelectron. Engin, 87, 1479 (2010)
  19. B.S. Simpkins, P.E. Pehrsson, M.L. Taheri, R.M. Stroud. J. Appl. Phys., 101, 094 305 (2007)
  20. H.-Q. Zhao, S. Kasai, Y. Shiratori, T. Hashizume. Nanotechnology, 20, 245 203 (2009)
  21. J.B. Cui. Science in China. Series E --- Technological Sciences, 52 (2), 313 (2009)
  22. Е.И. Гиваргизов. Кристаллография, 54 (4), 665 (2009)
  23. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, В.Н. Неведомский, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов. ФТТ, 49 (8), 1373 (2007)
  24. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самосненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39 (5), 587 (2005)
  25. И.П. Сошников, Письма ЖТФ, 31 (15), 29 (2005)
  26. M. Tchernycheva, G.E. Cirlin, G. Patriarche, L. Travers, V. Zwiller, U. Perinetti, J.-C. Harmand. Nano Lett., 7 (6), 1500 (2007)
  27. M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass, A.I. Persson, C. Thelander, M.H. Magnusson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 80, 1058 (2001)
  28. W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, J. Johansson, M.W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, C.P.T. Svensson, B.A. Wacaser, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. J. Cryst. Growth, 272, 211 (2004)
  29. T. Bryllert, L.E. Wernersson, T. Lowgren, L. Samuelson. Nanotechnology, 17, S227 (2006)
  30. F. Glas. Phys. Rev. B, 74, 121 302 (2006)
  31. A.L. Roest, M.A. Verheijen, O. Wunnicke, S. Serafin, H. Wondergem, E.P.A.M. Bakkers. Nanotechnology, 17, S271 (2006)
  32. I. Park, Z. Li, A.P. Pisano, R.S. Williams. Nanotechnology, 21, 015 501 (2010)
  33. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ, 47 (12), 2121 (2005)
  34. Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication, ed. by P. Rai-Choudhury (SPIE Optical Engineering Press, Washington, 1997) v. 1
  35. У. Моро. Микролитография (М., Мир, 1990)
  36. A.A. Tseng, C. Kuan, C.D. Chen, K.J. Ma. IEEE Trans. on Electronics Packaging Manufacturing, 26 (2), 141 (2003)
  37. Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский. УФН, 125 (3), 489 (1978)
  38. С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход) (СПб., Наука, 1996)
  39. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, K. Durose, Y.Y. Proskuryakov, Budhikar Mendes, L. Bowen, M.A. Kaliteevski, R.A. Abram, Dagou Zeze. Phys. Rev. B, 82 (3), 035 302 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.