"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм
Малеев Н.А.1,2, Кузьменков А.Г.2,1, Шуленков А.С.3, Блохин С.А.1,2, Кулагина М.М.1, Задиранов Ю.М.1, Тихомиров В.Г.4, Гладышев А.Г.2, Надточий А.М.1, Никитина Е.В.5, Lott J.A.6, Сведе-Швец В.Н.7, Леденцов Н.Н.6,1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Минский НИИ Радиоматериалов, Минск, Республика Беларусь
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6VI Systems GmbH, Berlin, Germany
7OOO " ОЭС", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Реализованы матрицы вертикально-излучающих лазеров с индивидуальной адресацией элементов и выводом излучения через подложку арсенида галлия. Индивидуальные лазерные излучатели с диаметром токовой апертуры 6-7 мкм демонстрируют лазерную генерацию на длине волны 958-962 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 1.1-1.3 мА, дифференциальной эффективностью 0.5-0.8 мВт/мА и максимальной выходной мощностью 7.5-9 мВт. Разброс параметров индивидуальных излучателей в пределах матричного кристалла, содержащего 5-1ptx-1pt7 элементов, не превышает ±20%.
  1. F. Koyama. J. Lightwave Technology, 24, 4502 (2006)
  2. A. Benner, M. Ignatowski, J.A. Kash, D.M. Kuchta, M.B. Ritter, IBM J. Resource development, 49, 755 (2005)
  3. M. Gruber. Appl. Opt., 43, 463 (2004)
  4. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (N.Y., Wiley, 1995)
  5. С. Блохин, Л. Карачинский, А. Кузьменков, Н. Малеев. Фотоника, 5, 24 (2010)
  6. R. Safaisini, J.R. Joseph, G. Dang, K.L. Lear. Electron. Letters, 45, 414 (2009)
  7. J.A. Lott, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, M.M. Kulagina, Yu.M. Zaderanov, A.G. Gladyshev, A.M. Nadtochiy, E.V. Nikitina, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov. In: Proceedings 22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference, Kyoto, Japan, WC6, p. 184 (26--30 September 2010)
  8. Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.С. Шуленков, С.В. Чумак, Е.В. Никитина, С.А. Блохин, М.М. Кулагина, Е.С. Семенова, Д.А. Лившиц, М.В. Максимов, В.М. Устинов, ФТП, 39, 487 (2005)
  9. M.H. MacDougal, J. Geske, C.-K. Lin, A.E. Bond, P.D. Dapkus. IEEE Photonics Techn. Lett., 10, 15 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.