В рамках предложенной авторами ранее вакансионной модели гетерополитипной эпитаксии карбида кремния (ФТП, 39, 296 (2005); 41, 641 (2007)) рассмотрены кинетические процессы аннигиляции (зарастания) микротрубки, проникающей в растущий слой из затравки-подложки. Найдено соотношение между скоростью роста эпитаксиального слоя, временем жизни вакансии и толщиной дефектного слоя, при котором микротрубка зарастает. Учитываются оба типа вакансий - углеродные и кремниевые. Предложена также упрощенная линейная модель процесса зарастания микротрубки, в рамках которой определено соотношение между диаметром микротрубки r₀ и толщиной дефектного слоя l^*: l^*=r₀(G/g), где G - скорость роста слоя, g - скорость вакансии, что для реальных условий роста дает l^*~6r₀.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.