Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 4 » Статья стр. 560
<<<>>>
Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов
Савельев А.В.1,2, Новиков И.И.3,1, Чунарева А.В.3,1, Гордеев Н.Ю.3,1, Максимов М.В.3,1, Паюсов А.С.1, Аракчеева Е.М.3,1, Щукин В.А.3, Леденцов Н.Н.1,4
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4VI Systems GmbH, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 11 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
PDF версия
Рассмотрена конструкция полоскового полупроводникового лазера с составным волноводом, образованным из двух туннельно-связанных волноводов, - узкого, содержащего активную среду, и широкого, формирующего оптическую моду. Показано, что при такой конструкции полупроводникового лазера возможна температурная стабилизация длины волны лазерной генерации. Причиной стабилизации длины волны является генерация в антирезонансных условиях связи двух волноводов, возникающих в узком диапазоне длин волн, положение которого слабо зависит от температуры. Выполненные расчеты при характерных параметрах для лазерной системы InAlGaAsP показали возможность ослабления температурной зависимости длины волны лазерной генерации до 3 раз в температурном диапазоне шириной 60 K.
  1. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin. Opt. Eng., 41 (12), 3193 (2002)
  2. M. Fakudo. Optical Semiconductor Devices (N.Y., John Wiley \& Sons, 1999) ISBN 0-471-14959-4
  3. G.P. Agrawal. Semiconductor lasers: past, present and future (N.Y., American Institute of Physics, 1994) ISBN 9781563962110
  4. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, S.S. Mikhrin, I.L. Krestnikov, A.R. Kovsh, L.Ya. Karachinsky, M.V. Maximov, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov. Semicond. Sci. Technol., 19, 1183 (2004)
  5. M.B. Lifshits, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 22 (4), 380 (2007)
  6. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, M.B. Lifshits, A.V. Savelyev, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, S.S. Mikhrin, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 22, 1061 (2007)
  7. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, D. Bimberg. In: Future Trends in Microelectronics: Up the Nano Creek, ed. by S. Luryi, J. Xu, A. Zaslavsky (N.Y., Wiley, 2007) p. 301
  8. I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.Yu. Gordeev, N.A. Kaluzhniy, S.A. Mintairov, V.M. Lantratov, A.S. Payusov, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov. Semicond. Sci. Technol., 23, 075 043 (2008)
  9. V. Shchukin, N. Ledentsov, V. Kalosha, T. Kettler, K. Posilovic, D. Seidlitz, D. Bimberg, N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, A.V. Chunareva, M.V. Maximov. Proc. SPIE, 7597, 75971A-1 (2010)
  10. F.G. Della Corte, G. Cocorullo, M. Iodice, I. Rendina. Appl. Phys. Lett., 77, 1614 (2000)
  11. Х. Кейси и М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  12. Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела (М., Мир, 1979)
  13. C.W. Wilmsen, H. Temkin, L.A. Coldren. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Cambridge University Press, 1999)
  14. А.В. Савельев, И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, А.Е. Жуков. ФТП. 43 (12), 1641 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme