Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пространственная неравномерность протекания тока и ее учет при определении характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе InAsSbP/InAs
Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Рыбальченко А.Ю.1, Стусь Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Проведен анализ вольт-амперных характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе структур InAsSbP/InAs, учитывающий сгущение линий тока вблизи контактов, с использованием экспериментальных данных о распределении интенсивности электролюминесценции по поверхности диодов. Обсуждено влияние потенциального барьера, связанного с переходом N-InAsSbP/n-InAs в двойных гетероструктурах, на дифференциальное сопротивление диодов при нулевом смещении, величину обратного тока и на растекание прямого тока.
- А.И. Луговской, С.А. Логинов, О.Б. Балашов, А.А. Кузнецов, Е.В. Васильев, Е.Я. Черняк. Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика, N 6, 55 (2003)
- V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryaeva, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4228 (2001)
- Б.Е. Журтанов, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, К.В. Калинина, М.А. Сиповская, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 42 (4), 468 (2008)
- B.A. Matveev, A.V. Ankudinov, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, T.V. L'vova, M.A. Remennyy, A.Yu. Rubal'chenko, N.M. Stus'. Proc. SPIE, 7597, 75970G (2010)
- V.K. Malyutenko, S.S. Bolgov. Proc. SPIE, 7617, 76171K-1 (2010)
- Ф. Шуберт. Светодиоды, пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. 2-е изд. (М., Физматлит, 2008)
- V.K. Malyutenko, A.V. Zinovchuk, O.Yu. Malyutenko. Semicond. Sci. Technol., 23, 085 004 (2008)
- B.A. Matveev, M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, N. Il'inskaya, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 314 (2003)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- А.Л. Закгейм, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Ю.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков. Прикл. физика, N 6, 143 (2008)
- В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2. 97 (2005)
- Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 42 (6), 641 (2008)
- R.K. Lal, P. Chakrabarti. Optical and Quant. Electron., 36, 935 (2004)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 1, пер. с англ. под ред. д-ра физ.-мат. наук Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
- M.A. Remennyy, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus', N.D. Il'inskaya. Proc. SPIE, 6585, 658504-1 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
