"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пространственная неравномерность протекания тока и ее учет при определении характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе InAsSbP/InAs
Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Рыбальченко А.Ю.1, Стусь Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Проведен анализ вольт-амперных характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе структур InAsSbP/InAs, учитывающий сгущение линий тока вблизи контактов, с использованием экспериментальных данных о распределении интенсивности электролюминесценции по поверхности диодов. Обсуждено влияние потенциального барьера, связанного с переходом N-InAsSbP/n-InAs в двойных гетероструктурах, на дифференциальное сопротивление диодов при нулевом смещении, величину обратного тока и на растекание прямого тока.
  1. А.И. Луговской, С.А. Логинов, О.Б. Балашов, А.А. Кузнецов, Е.В. Васильев, Е.Я. Черняк. Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика, N 6, 55 (2003)
  2. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryaeva, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4228 (2001)
  3. Б.Е. Журтанов, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, К.В. Калинина, М.А. Сиповская, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 42 (4), 468 (2008)
  4. B.A. Matveev, A.V. Ankudinov, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, T.V. L'vova, M.A. Remennyy, A.Yu. Rubal'chenko, N.M. Stus'. Proc. SPIE, 7597, 75970G (2010)
  5. V.K. Malyutenko, S.S. Bolgov. Proc. SPIE, 7617, 76171K-1 (2010)
  6. Ф. Шуберт. Светодиоды, пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. 2-е изд. (М., Физматлит, 2008)
  7. V.K. Malyutenko, A.V. Zinovchuk, O.Yu. Malyutenko. Semicond. Sci. Technol., 23, 085 004 (2008)
  8. B.A. Matveev, M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, N. Il'inskaya, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 314 (2003)
  9. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  10. А.Л. Закгейм, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Ю.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков. Прикл. физика, N 6, 143 (2008)
  11. В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2. 97 (2005)
  12. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 42 (6), 641 (2008)
  13. R.K. Lal, P. Chakrabarti. Optical and Quant. Electron., 36, 935 (2004)
  14. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 1, пер. с англ. под ред. д-ра физ.-мат. наук Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
  15. M.A. Remennyy, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus', N.D. Il'inskaya. Proc. SPIE, 6585, 658504-1 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.