Вышедшие номера
Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe
Варавин В.С.1, Сидоров Г.Ю.1, Гарифуллин М.О.1, Вишняков А.В.1, Сидоров Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Исследовано явление гидрогенизации пленок CdxHg1-xTe. Гидрогенизация осуществлялась путем кипячения пленок CdxHg1-xTe в деионизованной воде либо с помощью электрохимических обработок. Установлено, что при контакте с водными средами в пленки вводятся акцепторные центры, концентрация которых может превышать 1017 см-3. Показано, что вводятся два типа акцепторов на основе водорода: быстрые и медленные, оценены их коэффициенты диффузии. Обнаружено, что часть водорода после обработок присутствует в электрически неактивном виде и может активироваться при дальнейшем хранении либо при прогревах. После активации концентрация дырок может достигать 1018 см-3. Обсуждается влияние pH среды на скорость введения водорода в материал.