Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование процесса карбонизации и окисления пористого кремния методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии

Васин А.В.¹, Охолин П.Н.¹, Веровский И.Н.¹, Назаров А.Н.¹, Лысенко В.С.¹, Холостов К.И.², Бондаренко В.П.², Ishikawa Y.³

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

³Japan Fine Ceramics Center, 45 Nagoya, Japan

Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Слои пористого кремния были получены методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 10 Ом·см в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии поглощения в инфракрасном диапазоне исследованы процессы взаимодействия пористого кремния с неразбавленным ацетиленом при низкой температуре и окисления карбонизированного пористого кремния парами воды. Установлено, что уже при температуре 550^oC на поверхности пор образуются кремний-углеродные связи и формируется графитоподобный углеродный конденсат. Показано, что углеродный конденсат препятствует процессу окисления пористого кремния парами воды и способствует гашению белой фотолюминесценции в нанокомпозитном слое окисленного карбонизированного пористого кремния.

J. Yoshinobu, H. Tsuda, M. Onchi, M. Nishijima. Chem. Phys. Lett., 130, 170 (1986)
M. Nishijima, J. Yoshinobu, H. Tsuda, M: Onchi. Surf. Sci., 192, 383 (1987)
G. Dufour, f. Rochet, F.C. Stedile, C. Poncey, M. de Crescenzi, R. Gunbells, M. Froment. Phys. Rev., B, 56, 4266 (1997)
J. Salonen, E. Laine, L. Niinisto. J. Appl. Phys., 91, 456 (2002)
J. Salonen, M. Bjorkqvist, E. Laine, L. Niinisto. Appl. Surf. Sci., 225, 389 (2004)
A.V. Vasin, Yu. Ishikawa, M. Shibata, J. Salonen, V.-P. Lehto. J. J. Appl. Phys., 46, L465 (2007)
Yu. Ishikawa, A.V. Vasin, J. Salonen, S. Muto, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, N. Shibata, V.-P. Lehto. J. Appl. Phys., 104, 083 522 (2008)
H. Tsay, D.B. Bogy. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 3287 (1987)
D.S. Knight, W.B. White. J. Matter. Res., 4, 385 (1989)
A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 61, 14 095 (2000)
F. Matsui, H.V. Yeom, I. Matsuda, T. Ohta. Phys. Rev. B, 62, 5036 (2000)
А.Н. Образцов, Х. Окуши, Х. Ватанабе, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 31, 629 (1998)
I. Mizushima, E. Kamiya, N. Arai, M. Sonoda, M. Yoshiki, Sh. Takagi, M. Wakamiya, Sh. Kambayashi, Yu. Mikata, S. Mori, M. Kashivagi. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1465 (1997)
C.T. Kirk. Phys. B: Condens. Matter., 38, 1255 (1988)
C. Tsai, K.-H. Li, J. Sarathy, S. Shih, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 59, 2814 (1991)
N. Ookubo, H. Ono, Y. Ochiai, Y. Mochizuki, S. Matsui. Appl. Phys. Lett., 61, 940 (1992)
A.C. Adams, F.B. Alexander, C.D. Capio, T.E. Smith. J. Electrochem. Soc., 128, 1545 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель