"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb в активной области для среднего инфракрасного диапазона
Михайлова М.П.1, Андреев И.А.1, Моисеев К.Д.1, Иванов Э.В.1, Коновалов Г.Г.1, Михайлов М.Ю.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Созданы и исследованы фотодетекторы для спектрального диапазона 2-4 мкм на основе асимметричной гетероструктуры II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/(p,n)GaSb с глубокой одиночной или тремя глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы транспортные, люминесцентные, фотоэлектрические, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики таких структур. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдались в спектральном диапазоне 3-4 мкм при высоких температурах (300-400 K). Спектры фоточувствительности лежали в диапазоне 1.2-3.6 мкм (T=77 K). Высокая квантовая эффективность eta=0.6-0.7, токовая чувствительность Slambda=0.9-1.4 А/Вт и обнаружительная способность D*lambda=3.5·1011-1010 см · Гц1/2/Вт были получены в области T=77-200 K. Низкое значение емкости (C=1.5 пФ при V=-1 В, T=300 K) позволило оценить быстродействие фотодетектора tau=75 пс, что соответствует ширине полосы частот около 6 ГГц. Такие фотодетекторы перспективны для гетеродинного приема излучения квантово-каскадных лазеров и инфракрасной спектроскопии.
  1. S. Haywood, M. Missons. In: Mid-Infrared Semiconductor Optoelectronics, ed. by A. Krier (Springer Series in Optical Sciences, 2006) p. 429
  2. B.F. Levine. J. Appl. Phsy., 74, R-01 (1996)
  3. E. Lina, A. Gusman, J. Sanchez-Rocha et al. Infr. Phys. Technol., 44, 383 (2003)
  4. W. Kruppa, M.J. Yang, B.R. Bennet, J.B. Boss. Appl. Phys. Lett., 85, 774 (2004)
  5. J. Devenson, R. Teissier, O. Cathabard, A.N. Baranov. Appl. Phys. Lett., 90, 111 (2007)
  6. D.H. Chow, E.T. Yu, J.R. Sonderson et al. J. Appl. Phys., 68, 3744 (1990)
  7. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol., 19, R109 (2004)
  8. E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, T. Simehek, K.D. Moiceev, E.V. Ivanov, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. Abstracts of 8th Int. Conf. MIOMD (Bad Ischl, Austria, 4-16 May, 2007) p. 184; A. Nakagawa, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett., 54, 1893 (1989)
  9. S. Sasa, M. Nakai, M. Turukawa, M. Inoe. Conf. Ser., 187, 363 (2005)
  10. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, T.I. Voronina et al. J. Appl. Phys., 102, 13 710 (2007)
  11. М.П. Михайлов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, T. Simecek. ФТП, 44 (2), 69 (2010)
  12. М.П. Михайлова, Т.Н. Данилова, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 351 (1999)
  13. K. Moiseev, E. Ivanov, V. Romanov, M. Mikhailova, Yu. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, T. Simecek. Phys. Procedia, 3, 1189 (2010)
  14. Yu.P. Yakovlev, I.A. Andreev, S.S. Kizhaev, E.V. Kunitsyna, M.P. Mikhailova. Proc. of SPIE, v. 6636, 66 360D-1 (2000)
  15. M.P. Mikhailova, I.A. Andreev. In: Mid-Infrared Semiconductor Optoelectronics, ed. by A. Krier (Springer Series in Optical Sciences, 2006) p. 542

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.