"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si(001)-гетероструктур с самоформирующимися наноостровками
Красильник З.Ф.1, Кудрявцев К.Е.1, Качемцев А.Н.2, Лобанов Д.Н.1, Новиков А.В.1, Оболенский С.В.3, Шенгуров Д.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Выполнены исследования влияния радиационного воздействия нейтронами на электролюминесценцию кремниевого p-i-n-диода, содержащего многослойную гетероструктуру Ge/Si с самоформирующимися наноостровками. Диоды с наноостровками Ge(Si) продемонстрировали более высокую радиационную стойкость сигнала электролюминесценции от них по сравнению с объемным кремнием, что связывается с пространственной локализацией носителей заряда в наноструктурах Ge/Si. Пространственная локализация носителей заряда препятствует их диффузии к радиационным дефектам и последующей безызлучательной рекомбинации на них. Полученные результаты указывают на возможность использования гетероструктур Ge/Si с самоформирующимися наноостровками для разработки радиационно стойких оптоэлектронных устройств.
  1. T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, F. Aniel, J.-M. Lourtioz, C. Hernandez, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, G. Faini, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 77, 1822 (2000)
  2. V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner. Phys. Status Solidi, 198, R4 (2003)
  3. D.N. Lobanov, A.V. Novikov, K.E. Kudryavtsev, A.N. Yablonskiy, A.V. Antonov, Yu.N. Drozdov, D.V. Shengurov, V.B. Shmagin, Z.F. Krasilnik, N.D. Zakharov, P. Werner. Physica E, 41, 935 (2009)
  4. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. ФТП, 37, 1383 (2003)
  5. A. Fonseca, N.A. Sobolev, J.P. Leitao, E. Alves, M.C. Carmo, N.D. Zakharov, P. Werner, A.A. Tonkikh, G.E. Cirlin. J. Luminecs., 121, 417 (2006)
  6. J.P. Leitao, N.M. Santos, N.A. Sobolev, M.R. Correia, N.P. Stepina, M.C. Carmoa, S. Magalhaes, E. Alves, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Mater. Sci. Engin. B, 147, 191 (2008)
  7. А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, В.В. Платонов, С.В. Оболенский, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44 (3), 346 (2010)
  8. V. Le Thanh, V. Yam, P. Boucaud, F. Fortuna, C. Ulysse, D. Bouchier, L. Vervort, J.M. Lourtioz. Phys. Rev. B, 60, 5851 (1999)
  9. O.G. Schmidt, K. Eberl. Phys. Rev. B, 61, 13 721 (2000)
  10. Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТТ, 46, 63 (2004)
  11. Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский. ФТП, 42, 291 (2008)
  12. O.G. Schmidt, K. Eberl, Y. Rau. Phys. Rev. B, 62, 16 715 (2000)
  13. J.M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, M. Helm. Appl. Phys. Lett., 83, 3885 (2003)
  14. G. Davies. Phys. Reports, 176, 83 (1989)
  15. K. Thonke, H. Klemisch, J. Weber, R. Sauer. Phys. Rev. B, 24, 5874 (1981)
  16. А.В. Юхневич. ФТТ, 7, 322 (1965)
  17. K.G. Barraclough, D.J. Robbins, L.T. Canham. Patent WO 88/09060 (1998)
  18. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
  19. C.E. Jones, E.S. Johnson, W.D. Compton, J.R. Noonan, B.D. Streetman. J. Appl. Phys., 44, 5402 (1973)
  20. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67, 46 (1998)
  21. S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Komiyana. Thin Sol. Films. 321, 65 (1998)
  22. С.В. Вавилов. Действие излучения на полупроводники (М., Физматгиз, 1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.