"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Солтанович О.А.1, Шмидт Н.М.2, Якимов Е.Б.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Проведены исследования частотной зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне частот 60 Гц-5 МГц и интервале температур 77-300 K. Показано, что при всех температурах измеренные вольт-фарадные характеристики зависят от частоты. При этом уменьшение частоты тестового сигнала приводит к таким же изменениям в вольт-фарадных характеристиках, что и повышение температуры измерений. Обнаружено, что для каждой температуры в исследованном диапазоне частот достигается предельная низкочастотная вольт-фарадная характеристика. Показано, что низкочастотные вольт-фарадные характеристики, измеренные при разных температурах, с хорошей точностью совпадают. Процесс достижения равновесия зарядов в активной области, вероятнее всего, определяется туннелированием носителей через барьеры.
  1. F. Manyakhin, A. Kovalev, A.E. Yunovich. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 53 (1998)
  2. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, J. Kim, B. Luo, R. Mehandru, F. Ren, K.P. Lee, S.J. Pearton, A.V. Osinsky, P.E. Norris. J. Appl. Phys., 91, 5203 (2002)
  3. F. Rossi, M. Pavesi, M. Meneghini, M. Manfredi, G. Meneghesso, A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, U. Strass, U. Zehnder, E. Zanoni. J. Appl. Phys., 99, 053 104 (2006)
  4. О.А. Солтанович, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. Тез. докл. 6-й Всерос. конф. " Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., 2008) с. 204
  5. L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 45, 1839 (1974)
  6. P. Blood, J.W. Orton. The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States (London--San Diego--N.Y., Academic Press, 1992) chap. 6
  7. D. Stievenard, D. Vuillaume. J. Appl. Phys., 60, 973 (1986)
  8. A.E. Chernyakov, M.M. Sobolev, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov. Superlat. Microstruct., 45, 301 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.