"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями
Шалеев М.В.1, Новиков А.В.1,2, Байдакова Н.А.1,2, Яблонский А.Н.1, Кузнецов О.А.3, Лобанов Д.Н.1, Красильник З.Ф.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Исследовано влияние толщин напряженных Si-слоев, температуры измерения и мощности оптического возбуждения на ширину пика фотолюминесценции от самоформирующихся наноостровков Ge(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях SiGe/Si (001) и заключенных между напряженными Si-слоями. Показано, что путем изменения толщин напряженных Si-слоев над и под островками можно как уменьшать, так и увеличивать ширину линии фотолюминесценции островков Ge(Si). За счет учета диффузионного размытия напряженного слоя Si над островками достигнуто уменьшение ширины пика фотолюминесценции от островков Ge(Si) до значений, сравнимых с шириной пика фотолюминесценции от структур с квантовыми точками на основе прямозонных полупроводников InAs/GaAs.
  1. D.J. Paul. Semicond. Sci. Technol., 19(10), R75 (2004)
  2. K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65 (1), 27 (2001)
  3. J. Stangl, V. Holy, G. Bauer. Rev. Mod. Phys., 76 (3), 725 (2004)
  4. L. Vescan, T. Stoica. J. Luminesc., 80, 485 (1998)
  5. T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, F. Aniel, J.-M. Lourtioz, C. Hernandez, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, G. Faini, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 77 (12) 1822 (2000)
  6. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67 (1), 46 (1998)
  7. B.V. Kamenev, L. Tsybeskov, J.-M. Baribeau, D.J. Lockwood. Phys. Rev. B, 72 (19), 193 306 (2005)
  8. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Semicond. Sci. Technol., 15 (12), 1125 (2000)
  9. M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov. Appl. Phys. Lett., 88 (1), 011 914 (2006)
  10. A.V. Novikov, M.V. Shaleev, A.N. Yablonskiy, O.A. Kuznetsov, Yu.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 22 (1), S29 (2007)
  11. M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov. Appl. Phys. Lett., 91 (2), 021 916 (2007)
  12. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, О.А. Кузнецов, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.А. Перевозщиков, М.В. Шалеев. ФТТ, 47 (1), 44 (2005)
  13. М.В. Шалеев, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, О.А. Кузнецов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник. ФТП, 41 (2), 172 (2007)
  14. М.В. Шалеев, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, О.А. Кузнецов, Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 41 (11), 1375 (2007)
  15. D.J. Lockwood, J.-M. Baribeau, B.V. Kamenev, E.-K. Lee, L. Tsybeskov. Semicond. Sci. Technol., 23 (6), 064 003 (2008)
  16. M. Stoffel, U. Denker, G.S. Kar, H. Sigg, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 83 (14), 2910 (2003)
  17. V. Yam, V. Le Thanh, Y. Zheng, P. Boucaud, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 63 (3), 033 313 (2001)
  18. J. Wan, Y.H. Luo, Z.M. Jiang, G. Jin, J.L. Liu, K.L. Wang, X.Z. Liao, J. Zou. Appl. Phys. Lett., 79 (13), 1980 (2001)
  19. J. Weber, M.I. Alonso. Phys. Rev. B, 40, 5683 (1989)
  20. N. Usami, F. Issiki, D.K. Nayak, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 67 (4), 524 (1995)
  21. P. Boucaud, S. Sauvage, M. Elkurdi, E. Mercier, T. Brunhies, V. Le Thanh, D. Bouchier, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahell. Phys. Rev. B, 64 (15), 155 310 (2001)
  22. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А. В. Новиков, А.Н. Яблонский. Изв. РАН. Сер. физ., 67 (2), 159 (2003)
  23. C.-K. Sun, G. Wang, J.E. Bowers, B. Brar, H.-R. Blank, H. Kroemer, M.H. Pilkuhn. Appl. Phys. Lett., 68 (11), 1543 (1996)
  24. P. Howe, E.C. Le Ru, E. Clarke, B. Abbey, R. Murray, T.S. Jones. J. Appl. Phys., 95 (6), 2998 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.