"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модуляционные волны носителей заряда в полупроводниковых слоях n- и p-типа
Мнацаканов Т.Т.1, Левинштейн М.Е.2, Тандоев А.Г.1, Юрков С.Н.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Исследовано влияние зависимости подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля mu(F) на распространение волн инжектированных носителей в слоях n- и p-типа в квазинейтральном дрейфовом режиме. Показано, что учет зависимости mu(F) по-разному влияет на движение неосновных носителей в слоях n- и p-типа. Движение волны электронов в p-базе p+-p-n+-структуры замедляется, а движение волны дырок в n-базе p+-n-n+-структуры убыстряется. Полученные результаты дополняют предложенное ранее классическое описание распространения волны неосновных носителей заряда, не учитывавшее эффект зависимостей mu(F). Результаты аналитического расчета подтверждены с помощью численного эксперимента.
  1. A.F. Kardo-Sysoev. Ultrawideband Radar Technology ed. by J.D. Taylor (CRC Press, 2000) p. 205
  2. P. Rodin, U. Ebert, W. Hundsdorfer, I.V. Grekhov. J. Appl. Phys. 92, 1971 (2002)
  3. А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, С.В. Коротков, Л.С. Костина, Н.С. Яковчук. Письма ЖТФ, 8, 685 (1982)
  4. В.М. Тучкевич, И.В. Грехов. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
  5. S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. Sol. St. Electon., 47, 1255 (2003)
  6. S.N. Vainshtein, J.T. Kostamovaara, Y. Sveshnikov, S. Gurevich, M. Kulagina, V.S. Yuferev, L. Shestak, M. Sverdlov. Electron. Lett., 40, 85 (2004)
  7. И.В. Грехов. Изв. РАН. Сер. Энергетика, N 1, 53 (2000)
  8. I.V. Grekhov, G.A. Mesyats. IEEE Trans. Plasma Sci., 28, 1540 (2000)
  9. С.А. Дарзнек, Ю.А. Котов, Г.А. Месяц, С.Н. Рукин. ДАН, 334, 304 (1994)
  10. Ю.А. Котов, Г.А. Месяц, С.Н. Рукин, А.Л. Филатов. ДАН, 330, 515 (1993)
  11. Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
  12. R.H. Dean. J. Appl. Phys., 46, 585 (1969)
  13. С.Л. Румянцев. ФТП, 26, 1955 (1992)
  14. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M. Das, A.K. Agarwal. Semicond. Sci. Technol., 20, 62 (2005)
  15. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, P.A. Ivanov, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. J. Appl. Phys., 99 (7), 958 (2006)
  16. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  17. T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov. Semicond. Sci. Technol., 24 (7), 62 (2009)
  18. T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov. Submitted to Sol. St. Electron. (2010)
  19. Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, А.Г. Тандоев, С.Н. Юрков. ФТП, 41 (11), 1401 (2007)
  20. Э. Камке. Справочник по дифференциональным уравнениям в частных производных первого порядка (М., Наука, 1966)
  21. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30 (6), 579 (1987)
  22. Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. ФТП, 18 (7), 1293 (1984)
  23. T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143 (1), 225 (1987)
  24. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov. IEEE Trans. Electron. Dev., 49 (4), 702 (2002)
  25. П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005)
  26. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. In: SiC Materials and Devices (Singapore, World Scientific, 2006) v. 1, p. 227.
  27. Handbook Series of Semiconductor Parameters: Elementary Semiconductors and AIIIBV Compounds Si, Ge, C, GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb, eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (Singapore, World Scientific, 1996) v. 1
  28. T.T. Mnatsakanov, B.N. Gresserov, L.I. Pomortseva. Sol. St. Electron., 38 (1), 225 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.