Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 12 » Статья стр. 1615
<<<>>>
Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN
Сизов В.С.1,2, Неплох В.В.1, Цацульников А.Ф.1,2, Сахаров А.В.1,2, Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Николаев А.Е.1,2, Минтаиров А.М.3, Merz J.L.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3EE Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN,, USA
Поступила в редакцию: 1 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
PDF версия
Исследованы свойства светодиодных структур с активной областью InGaN/GaN, излучающие в диапазоне 500-550 нм. Исследована фотолюминесценция структур при различном значении внешнего смещения и температуре, а также с временным разрешением. При обратном смещении обнаружено уменьшение времени жизни носителей, связанное с туннельной утечкой носителей из активной области. Проведено моделирование механизма туннельной утечки с учетом больцмановского распределения носителей по энергиям и показано хорошее согласие расчетных и экспериментальных зависимостей. Показано, что туннельный транспорт оказывает значительное влияние на характеристики структур с активной областью InGaN/GaN.
  1. A.F. Tsatsulnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, S.O. Usov, A.E. Nikolaev, N.V. Kryzhanovskaya, M.A. Synitsin, V.S. Sizov, N.A. Cherkashin, A.E. Chernyakov, A.L. Zakgeim, M.N. Mizerov. VII All Russian Conf. "Nitrides of Gallium, Indium and Aluminum: Structures and devices" (Moscow, February 1-3, 2010)
  2. D.I. Florescu, S.M. Ting, J.C. Ramer, D.S. Lee, V.N. Merai, A. Parkeh, D. Lu, E.A. Armour, L. Chernyak. Appl. Phys. Lett., 83, 33 (2003)
  3. X.H. Wu, C.R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P.M. Petroff, S.P. DenBaars, J.S. Speck, S.J. Rosner. Appl. Phys. Lett., 72, 692 (1998)
  4. J.Y. Tsao. Laser Focus World, 39, S11 (2003)
  5. E.T. Yu, X.Z. Dang, P.M. Asbeck, S.S. Lau, G.J. Sullivan. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 1742 (1999)
  6. O. Ambacher, R. Dimitrov, M. Suttzmann, B.E. Foutz, M.J. Murphy, J.A. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann, K. Chu, M. Chumbes, B. Green, A.J. Sierakowski, W.J. Schaff, L.F. Eastman. Phys. Status Solidi B, 216, 381 (1999)
  7. P. Perlin, C. Kisielowski, V. Iota, B.A. Weinstein, L. Mattos, N.A. Shapiro, J. Kruger, E.R. Weber, J. Yang. Appl. Phys. Lett., 73, 2778 (1998)
  8. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, N. Yamada. Appl. Phys. Lett., 73, 1691 (1998)
  9. D.S. Sizov, R. Bhat, J. Napierala, J. Xi, D.E. Allen, C.S. Gallinat, Chung-En Zah. Optics Lett., 34 (3), (2009)
  10. D. Sizov, R. Bhat, J. Napierala, C. Gallinat, K. Song, D. Allen. Chung-En Zah. Abstract Book, Intern. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS8) (October 18-23, ICC Jeju, Korea) p. 1039
  11. V. Rozhansky, D.A. Zakheim. Phys. Status Solidi A, 204 (1), 227 (2007)
  12. В.С. Сизов, А.А. Гуткин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, П.Н. Брунков, А.Ф. Цацульников. ФТР, 43 (6), 836 (2009)
  13. S. Nakamura. OIDA Solid-State Lighting Workshop (Albuquerque, May 30, 2002)
  14. В.С. Сизов, Д.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. ФТП, 40 (5), 589 (2006)
  15. C. Netzel, R. Doloca, S. Lahmann, U. Rossow, A. Hangleiter. Phys. Status Solidi C, 0, 324 (2002)
  16. S.F. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, T. Mukai, S. Nakamura. J. Appl. Phys., 88, 5153 (2000)
  17. В.С. Сизов, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, Н.А. Черкашин, M.J. Hytch, А.Е. Николаев, А.М. Минтаиров, Yan He, J.L. Merz. ФТР, 44 (7), 955 (2010)
  18. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика ( нерелятивистская теория) (М., Наука, 1974)
  19. K.A. Bulashevich, S.Yu. Karpov, R.A. Suris. Proc. 12th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 21-25, 2004)
  20. M.F. Schubert, J. Xu, Qi Dai, F.W. Mont, J. Kyu Kim, E.F. Schubert. Appl., Phys. Lett., 94, 081 114 (2009)
  21. Yong-Hoon Cho, T.J. Schmidt, S. Bidnyk, G.H. Gainer, J.J. Song, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Phys. Rev. B, 61 (11), 19 808 (2000)
  22. А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицин, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43 (6), 841 (2009)
  23. B.T. Smith, J.M. Boyle, J.J. Dongarra, B.S. Garbow, Y. Ikebe, V.C. Klema, C.B. Moler. Matrix Eigensystem Routines (EISPACK Guide, Springer Verlag, N.Y., 1976)
  24. R.J. Hanson, R. Lehoucq, J. Stolle, A. Belmonte. Improved perfomance of certain matrix eigenvalue computations for the IMSL/MATH Library (IMSL Technical Report IMSL, Houston, 2007)
  25. U.M.E. Christmas, A.D. Andreev, D.A. Faux. J. Appl. Phys., 98, 073 522 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme