Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами ⁶⁰Co

Беляев А.Е.¹, Болтовец Н.С.², Бобыль А.В.³, Иванов В.Н.², Капитанчук Л.М.⁴, Кладько В.П.¹, Конакова Р.В.¹, Кудрик Я.Я.¹, Корчевой А.А.¹, Литвин О.С.¹, Миленин В.В.¹, Новицкий С.В.¹, Шеремет В.Н.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Государственное предприятие
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 29 апреля 2010 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n⁺⁺-InP и барьерных Au-TiB_x-n-n⁺-n⁺⁺-InP при облучении gamma-квантами ⁶⁰Co до доз 10⁹ P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rho_c существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n⁺-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400^oC образце с барьерными контактами Au-TiB_x-n-n⁺-n⁺⁺InP, облученном до дозы 2·10⁸ P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10⁹ P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400^oC слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400^oC.

H. Eisele, R. Kamoua. IEEE Trans. MTT, 52 (10), 2371 (2004)
L. Wandinger. J. Microwave, 24 (3), 71 (1981)
R. Kamoua, H. Eisele, G.I. Haddad. Sol. St. Electron., 36 (12), 1547 (1993)
В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Н.С. Раевская, Ю.Е. Николаенко. Техника и приборы СВЧ, N 1, 31 (2009)
Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, А.Е. Беляев, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, П.Н. Брунков, И.С. Тарасов, А.А. Тонких, В.П. Улин, В.М. Устинов, Г.Э. Цирлин. ФТП, 40 (6), 753 (2006)
http://www.quinstar.com
О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, В.А. Пилипенко. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС (Харьков, НТК "Институт монокристаллов", 2008)
Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, О.С. Литвин, П.М. Литвин, В.В. Миленин. ФТП 38 (7), 769 (2004)
И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, И.С. Тарасов, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, А.Е. Беляев, А.Б. Камалов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, О.С. Литвин, В.В. Миленин, Е.В. Руссу. ФТП, 42 (7), 793 (2008)
А.Н. Андреев, М.Г. Растягаева, В.П. Растягаев, С.А. Решанов. ФТП, 32 (7), 832 (1992)
Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах, под ред. Ю.А. Тхорика (Киев, Феникс, 1994)
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Ю.Н. Свешников, В.Н. Шеремет. ФТП, 44 (4), 467 (2010)
Ю.Р. Колобов, Р.З. Валиев, Г.П. Грабовецкая, А.П. Жиляев, Е.Ф. Дударев, К.В. Иванов, М.Б. Иванов, О.А. Кашин, Е.В. Найденкин. Зернограничная диффузия и свойства наноструктурных материалов (Новосибирск, Наука, 2001)
С.Т. Конобеевский. Действие облучения на материалы. Введение в радиационное материаловедение (М., Атомиздат, 1967)
Л.С. Палатник, П.Г. Черемской, М.Я. Фукс. Поры в пленках (М., Энергоиздат, 1982)
А.П. Шпак, П.Г. Черемской, А.П. Куницкий, О.В. Соболь. Кластерные и наноструктурные материалы (Киев, Академпериодика, 2005) т. 3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель