Вышедшие номера
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами 60Co
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Бобыль А.В.3, Иванов В.Н.2, Капитанчук Л.М.4, Кладько В.П.1, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Корчевой А.А.1, Литвин О.С.1, Миленин В.В.1, Новицкий С.В.1, Шеремет В.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 29 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n++-InP и барьерных Au-TiBx-n-n+-n++-InP при облучении gamma-квантами 60Co до доз 109 P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rhoc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n+-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400oC образце с барьерными контактами Au-TiBx-n-n+-n++InP, облученном до дозы 2·108 P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 109 P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400oC слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400oC.