"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рекомбинация носителей заряда в арсенид-галлиевом p-i-n-диоде
Айзенштат Г.И.1, Ющенко А.Ю.2, Гущин С.М.3, Дмитриев Д.В.4, Журавлев К.С.4, Торопов А.И.4
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
3Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Установлено, что в p-i-n-диодах на арсениде галлия при высоких плотностях прямого тока существенную роль играет излучательная рекомбинация носителей заряда. Экспериментально показано, что диоды, работающие в СВЧ интегральных схемах, интенсивно излучают свет в инфракрасном диапазоне с длинами волн от 890 до 910 нм. Полученные результаты указывают на необходимость учета особенностей процессов рекомбинации в арсенид-галлиевых СВЧ p-i-n-диодах.
  1. T. Buber, N. Kinayman, Yong-Hoon Yun, J. Brogle. IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, 2, 1307 (2003)
  2. А.И. Лебедев. Физика полупроводниковых приборов (М., Физматлит, 2008) с. 41
  3. Ф. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2008) с. 76
  4. W.N. Carr. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-12, 531 (1965)
  5. M. Derdouri, Ph. Leturec, M. Munoze-Yague. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-27, (11), 2097 (1980)
  6. M. Rogalla, R. Geppert, R. Gopprt, M. Hornung, J. Ludwig, Th. Schmidt. R. Irsigler, K. Runge, A. Soldner-Rembold. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 410, 74 (1998)
  7. И.П. Варшни. Собственная излучательная рекомбинация в полупроводниках (М., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.