"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование времен релаксации и энергетического спектра квантовой ямы CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe при варьировании разрыва валентных зон, ширины ямы и состава x
Мележик Е.А.1, Гуменюк-Сычевская Ж.В.1, Сизов Ф.Ф.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Смоделированы зависимости времен релаксации и энергетического спектра квантовой ямы CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe от параметров такой квантовой ямы в интервале молярных долей кадмия (0<x<0.16). Установлено, что изменение x от 0 до 0.16 приводит к изменению локализации волновых функций электронов в квантовой яме. Получен критерий для определения количества интерфейсных уровней локализованных электронов в зависимости от параметров квантовой ямы. Выявлен эффект резкого (на 2 порядка) возрастания времени релаксации локализованных электронов при малых ширинах квантовых ям и значениях x, близких к 0.16.
  1. P.H. Siegel. Intern. J. High Speed Electron. Systems, 13, 351 (2003)
  2. B. Wittmann, S.N. Danilov, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, R. Ravash, W. Prettl, S.D. Ganichev. IEEE Proc. Joint 32nd Intern. Conf. THz Electronics, 2, 773 (2007)
  3. T.G. Philips, K.B. Jefferts. Rev. Sci. Instrum. 44, 1009 (1973)
  4. F. Sizov. Optoelectron. Rev., 18, 10 (2010)
  5. Д.В. Морозов, К.В. Смирнов, А.В. Смирнов, В.А. Ляхов, Г.Н. Гольцман. ФТП, 39, 1117 (2005)
  6. G. Bastard. PRB, 25 (12), 1200 (1982)
  7. J.N. Shulman, Y.C. Chang. Surf. Sci., 174, 536 (1986)
  8. J.M. Berroir, Y. Guldner, M. Voos. IEEE J. Quant. Electron., QE-22 (9) (1986)
  9. Z. Yang, J.K. Furdyna. Appl. Phys. Lett., 52 (6), 350 (1988)
  10. C.K. Shih, W.E. Spicer. Phys. Rev. Lett., 58 (24), 450 (1987)
  11. E.A. Kraut. J. Vac. Sci. Technol. A, 7 (2), 180 (1989)
  12. P.M. Hui, H. Ehrenreich, N.F. Johnson. J. Vac. Sci. Technol. A, 7 (2), 203 (1989)
  13. M. Truchsess, V. Latussek, C.R. Becker, E. Batke. J. Cryst. Growth. 159, 1128 (1996)
  14. C.R. Becker, V. Latussek, M. Li, A. Pfeuffer-Jeschke, G. Landwehr. J. Electron. Mater., 28 (6), 820 (1999)
  15. D. Eich, K. Ortner, U. Groh, Z.H. Chen, C.R. Becker, G. Landwehr, R. Fink, E. Umbach. Phys. Status Solidi A, 173, 261 (1999)
  16. G. Bastard. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures (N.Y., Halsted Press, 1988)
  17. E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  18. G. Bastard. PRB, 24 (10), 1204 (1981)
  19. V. Mitin, A. Kochelap, A. Stroscio. Quantum heterostructures: microelectronics and optoelectronics (Cambridge, Cambridge University Press, 1999)
  20. J.J. Dubowski, T. Dietl, W. Szymanska, R.R. Galazka. J. Phys. Chem. Sol., 42, 351 (1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.