"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование времен релаксации и энергетического спектра квантовой ямы CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe при варьировании разрыва валентных зон, ширины ямы и состава x
Мележик Е.А.1, Гуменюк-Сычевская Ж.В.1, Сизов Ф.Ф.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Смоделированы зависимости времен релаксации и энергетического спектра квантовой ямы CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe от параметров такой квантовой ямы в интервале молярных долей кадмия (0<x<0.16). Установлено, что изменение x от 0 до 0.16 приводит к изменению локализации волновых функций электронов в квантовой яме. Получен критерий для определения количества интерфейсных уровней локализованных электронов в зависимости от параметров квантовой ямы. Выявлен эффект резкого (на 2 порядка) возрастания времени релаксации локализованных электронов при малых ширинах квантовых ям и значениях x, близких к 0.16.
  • P.H. Siegel. Intern. J. High Speed Electron. Systems, 13, 351 (2003)
  • B. Wittmann, S.N. Danilov, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, R. Ravash, W. Prettl, S.D. Ganichev. IEEE Proc. Joint 32nd Intern. Conf. THz Electronics, 2, 773 (2007)
  • T.G. Philips, K.B. Jefferts. Rev. Sci. Instrum. 44, 1009 (1973)
  • F. Sizov. Optoelectron. Rev., 18, 10 (2010)
  • Д.В. Морозов, К.В. Смирнов, А.В. Смирнов, В.А. Ляхов, Г.Н. Гольцман. ФТП, 39, 1117 (2005)
  • G. Bastard. PRB, 25 (12), 1200 (1982)
  • J.N. Shulman, Y.C. Chang. Surf. Sci., 174, 536 (1986)
  • J.M. Berroir, Y. Guldner, M. Voos. IEEE J. Quant. Electron., QE-22 (9) (1986)
  • Z. Yang, J.K. Furdyna. Appl. Phys. Lett., 52 (6), 350 (1988)
  • C.K. Shih, W.E. Spicer. Phys. Rev. Lett., 58 (24), 450 (1987)
  • E.A. Kraut. J. Vac. Sci. Technol. A, 7 (2), 180 (1989)
  • P.M. Hui, H. Ehrenreich, N.F. Johnson. J. Vac. Sci. Technol. A, 7 (2), 203 (1989)
  • M. Truchsess, V. Latussek, C.R. Becker, E. Batke. J. Cryst. Growth. 159, 1128 (1996)
  • C.R. Becker, V. Latussek, M. Li, A. Pfeuffer-Jeschke, G. Landwehr. J. Electron. Mater., 28 (6), 820 (1999)
  • D. Eich, K. Ortner, U. Groh, Z.H. Chen, C.R. Becker, G. Landwehr, R. Fink, E. Umbach. Phys. Status Solidi A, 173, 261 (1999)
  • G. Bastard. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures (N.Y., Halsted Press, 1988)
  • E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  • G. Bastard. PRB, 24 (10), 1204 (1981)
  • V. Mitin, A. Kochelap, A. Stroscio. Quantum heterostructures: microelectronics and optoelectronics (Cambridge, Cambridge University Press, 1999)
  • J.J. Dubowski, T. Dietl, W. Szymanska, R.R. Galazka. J. Phys. Chem. Sol., 42, 351 (1981).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.