"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Квантовые ямы на гетеропереходах 3C-SiC/NH-SiC. Расчет спонтанной поляризации и напряженности поля в экспериментах
Сбруев И.С.1, Сбруев-=SUP=--=/SUP=- С.Б.1
1Московский авиационный институт (государственный технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Пересмотрены результаты экспериментов с квантовыми ямами на гетеропереходах 3C-SiC/4H-SiC и 3C-SiC/6H-SiC, полученных различными способами. В рамках единой модели получены значения спонтанной поляризации, напряженности поля и энергий локальных уровней в квантовых ямах на гетеропереходах 3C-SiC/NH-SiC, согласующиеся с результатами всех рассмотренных экспериментов. Определены типы гетеропереходов. Представлены аппроксимация для разрывов валентных зон на гетеропереходах между политипами карбида кремния и выражение для вычисления локальных уровней в квантовых ямах на гетеропереходе 3C-SiC/NH-SiC. Вычислены значения спонтанной поляризации для 3C-SiC/4H-SiC --- 0.71 Кл/м2, для 3C-SiC/6H-SiC --- 0.47 Кл/м2 и напряженности поля, создаваемого спонтанной поляризацией на гетеропереходе 3C-SiC/4H-SiC и 3C-SiC/6H-SiC --- 0.825 и 0.55 МВ/см соответственно.
  1. S. Bai, R.P. Devaty, W.J. Choyke, U. Kaiser, G. Wagner, M.F. MacMillan. APL, 83 (15), 3171 ( )
  2. A. Fissel. Phys. Reports, 379, 149 (2003)
  3. R.S. Okojie, M. Xhang, P. Pirouz, S. Tumakha, G. Jessen, L.J. Brillson. Mater. Sci. Forum, 389- 393, 451 (2002)
  4. G. Samson, L. Chen, B.J. Skromme, R. Wang, C. Li, I. Bhat. 27th Intern. Conf. Physics of Semiconductors --- ICPS-27. AIP Conf. Proc., 772, 989 (2005)
  5. B.J. Skromme, K. Palle, C.D. Poweleit, L.R. Bryant, W.M. Vetter, M. Dudley, K. Moore, T. Gehoski. Mater. Sci. Forum, 389- 393, 455 (2002)
  6. А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, Е.В. Богданова, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (23), 78 (2002)
  7. S. Juillaguet, J. Camasesel. Mater. Sci. Forum, 483- 485, 335 (2005)
  8. A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
  9. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТП, 39 (12), 1440 (2005)
  10. С.Ю. Давыдов, А.В. Трошин. ФТТ, 49 (4), 723 (2007)
  11. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. (М., Наука, 1977)
  12. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  13. А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, В.А. Соловьев, Н.К. Полетаев. ФТП, 37 (4), 499 (2003)
  14. Liu Jin-Feng, Liu Zhong-Liang, Ren Peng, Xu Peng-Shou, Chen Xiu-Fang, Xu Xian-Gang. Acta Phys.-Chim., 24 (4), 571 (2008)
  15. А.А. Лебедев, В.В. Зеленин, П.Л. Абрамов, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, Л.М. Сорокин, М.П. Щеглов, R. Yakimova. Письма ЖТФ, 33 (12), 61 (2007)
  16. J.A. Freitas, jr., W.J. Moore. Brazilian J. Phys., 28 (1), 12 (1998)
  17. K.-B. Park, Y. Ding, J.P. Pelz, P.G. Neudeck, A.J. Trunek. Appl. Phys. Lett., 89, 042 103 (7/2006)
  18. U. Lindefelt, H. Iwata. In: Silicon Carbide: Recent Major Advances, eds W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl ( ) p. 89
  19. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32 (1), 3 (1992)
  20. А.А. Лебедев, П.Л. Абрамов, Е.В. Богданова, С.П. Лебедев, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, А.С. Трегубов. Письма ЖТФ, 36 (11), 32 (2010)
  21. A.M. Strel'chuk, A.A. Lebedev, N.S. Savkina, A.N. Kuznetsov. Mater. Sci. Forum, 556- 557, 427 (2007)
  22. С.Ю. Давыдов, А.В. Трошин. ФТП, 42 (10), 1206 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.