"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Квантовые ямы на гетеропереходах 3C-SiC/NH-SiC. Расчет спонтанной поляризации и напряженности поля в экспериментах
Сбруев И.С.1, Сбруев-=SUP=--=/SUP=- С.Б.1
1Московский авиационный институт (государственный технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Пересмотрены результаты экспериментов с квантовыми ямами на гетеропереходах 3C-SiC/4H-SiC и 3C-SiC/6H-SiC, полученных различными способами. В рамках единой модели получены значения спонтанной поляризации, напряженности поля и энергий локальных уровней в квантовых ямах на гетеропереходах 3C-SiC/NH-SiC, согласующиеся с результатами всех рассмотренных экспериментов. Определены типы гетеропереходов. Представлены аппроксимация для разрывов валентных зон на гетеропереходах между политипами карбида кремния и выражение для вычисления локальных уровней в квантовых ямах на гетеропереходе 3C-SiC/NH-SiC. Вычислены значения спонтанной поляризации для 3C-SiC/4H-SiC --- 0.71 Кл/м2, для 3C-SiC/6H-SiC --- 0.47 Кл/м2 и напряженности поля, создаваемого спонтанной поляризацией на гетеропереходе 3C-SiC/4H-SiC и 3C-SiC/6H-SiC --- 0.825 и 0.55 МВ/см соответственно.
  • S. Bai, R.P. Devaty, W.J. Choyke, U. Kaiser, G. Wagner, M.F. MacMillan. APL, 83 (15), 3171 ( )
  • A. Fissel. Phys. Reports, 379, 149 (2003)
  • R.S. Okojie, M. Xhang, P. Pirouz, S. Tumakha, G. Jessen, L.J. Brillson. Mater. Sci. Forum, 389- 393, 451 (2002)
  • G. Samson, L. Chen, B.J. Skromme, R. Wang, C. Li, I. Bhat. 27th Intern. Conf. Physics of Semiconductors --- ICPS-27. AIP Conf. Proc., 772, 989 (2005)
  • B.J. Skromme, K. Palle, C.D. Poweleit, L.R. Bryant, W.M. Vetter, M. Dudley, K. Moore, T. Gehoski. Mater. Sci. Forum, 389- 393, 455 (2002)
  • А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, Е.В. Богданова, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (23), 78 (2002)
  • S. Juillaguet, J. Camasesel. Mater. Sci. Forum, 483- 485, 335 (2005)
  • A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
  • С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТП, 39 (12), 1440 (2005)
  • С.Ю. Давыдов, А.В. Трошин. ФТТ, 49 (4), 723 (2007)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. (М., Наука, 1977)
  • В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  • А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, В.А. Соловьев, Н.К. Полетаев. ФТП, 37 (4), 499 (2003)
  • Liu Jin-Feng, Liu Zhong-Liang, Ren Peng, Xu Peng-Shou, Chen Xiu-Fang, Xu Xian-Gang. Acta Phys.-Chim., 24 (4), 571 (2008)
  • А.А. Лебедев, В.В. Зеленин, П.Л. Абрамов, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, Л.М. Сорокин, М.П. Щеглов, R. Yakimova. Письма ЖТФ, 33 (12), 61 (2007)
  • J.A. Freitas, jr., W.J. Moore. Brazilian J. Phys., 28 (1), 12 (1998)
  • K.-B. Park, Y. Ding, J.P. Pelz, P.G. Neudeck, A.J. Trunek. Appl. Phys. Lett., 89, 042 103 (7/2006)
  • U. Lindefelt, H. Iwata. In: Silicon Carbide: Recent Major Advances, eds W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl ( ) p. 89
  • Ж.И. Алфёров. ФТП, 32 (1), 3 (1992)
  • А.А. Лебедев, П.Л. Абрамов, Е.В. Богданова, С.П. Лебедев, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, А.С. Трегубов. Письма ЖТФ, 36 (11), 32 (2010)
  • A.M. Strel'chuk, A.A. Lebedev, N.S. Savkina, A.N. Kuznetsov. Mater. Sci. Forum, 556- 557, 427 (2007)
  • С.Ю. Давыдов, А.В. Трошин. ФТП, 42 (10), 1206 (2008)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.