Вышедшие номера
Смешивание дырочных состояний в гетероструктурах GaAs/AlAs(110)
Чернышов В.Н.1,2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Рассмотрены состояния в квантовой яме AlAs/GaAs(12)/AlAs(110) и в сверхрешетке AlAs(6)/GaAs(12)(110). Для анализа смешивания состояний легких и тяжелых дырок в этих структурах предложена зависящая от параметра система базисных функций и найдены значения параметра, при которых одна из функций в основном описывает состояния тяжелых дырок, а другая - легких дырок. Для рассмотренного в работе интервала энергии найдено четыре энергетических уровня в данной яме и соответственно четыре мини-зоны в сверхрешетке. Анализ показал, что первый и четвертый уровни в яме и первая и четвертая мини-зоны в сверхрешетке в основном связаны с состояниями тяжелых дырок. Более сложную структуру имеют оставшиеся два состояния в квантовой яме и вторая и третья мини-зоны в сверхрешетке, для которых имеется заметное смешивание дырочных состояний. Для этих мини-зон имеется значительное как пространственное, так и спиновое разделение состояний.