Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Смешивание дырочных состояний в гетероструктурах GaAs/AlAs(110)

Чернышов В.Н.^1,2

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 13 января 2010 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены состояния в квантовой яме AlAs/GaAs(12)/AlAs(110) и в сверхрешетке AlAs(6)/GaAs(12)(110). Для анализа смешивания состояний легких и тяжелых дырок в этих структурах предложена зависящая от параметра система базисных функций и найдены значения параметра, при которых одна из функций в основном описывает состояния тяжелых дырок, а другая - легких дырок. Для рассмотренного в работе интервала энергии найдено четыре энергетических уровня в данной яме и соответственно четыре мини-зоны в сверхрешетке. Анализ показал, что первый и четвертый уровни в яме и первая и четвертая мини-зоны в сверхрешетке в основном связаны с состояниями тяжелых дырок. Более сложную структуру имеют оставшиеся два состояния в квантовой яме и вторая и третья мини-зоны в сверхрешетке, для которых имеется заметное смешивание дырочных состояний. Для этих мини-зон имеется значительное как пространственное, так и спиновое разделение состояний.

J. Xia. Phys. Rev. B, 43, 9856 (1991)
S. Nojima. Phys. Rev. B 47, 13535 (1993)
Y. Kajikawa. Phys. Rev. B, 51, 16 790 (1995)
Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышев, Р.М. Егунов. ФТП, 37 (5), 592 (2003)
Y. Kajikawa, N. Nishimoto, Y. Higuchi. Phys. Rev. B, 69, 205 320 (2004)
S. Dohrmann, D. Hagele, J. Rudolph, M. Bichler, D. Schuh, M. Oestreich. Phys. Rev. Lett., 93, 147 405 (2004)
Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов. Изв. вузов. Физика, N 6, 51 (2003)
Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов. ФТП, 40 (5), 549 (2006)
Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов. ФТП, 35 (7), 841 (2001)
Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов. ФТП, 36 (5), 558 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель