Построена новая квантовая модель аккумуляции электронов на положительно заряженных границах полупроводниковых пленок. Использованы известные представления о квантовании поперечного движения электронов в однородном электрическом поле, роль которого играет эффективное поле притяжения к положительным поверхностным донорным центрам. На соответствующих квазидискретных состояниях по правилам статистики Ферми размещены электроны с поверхностной плотностью, равной концентрации доноров. При разумных концентрациях все электроны аккумуляционного слоя сосредоточены в основном на первом уровне пространственного квантования. Началу заполнения третьего уровня отвечают сверхвысокие встроенные поля порядка атомных (10⁸ В/см). Двукратным интегрированием уравнения Пуассона с электронной плотностью в виде квадратов соответствующих отрезков функции Эйри вычисляется профиль потенциала, описывающего взаимодействие электронов аккумуляционного слоя с другими заряженными частицами, в том числе с дырками. Его граничная величина - поверхностный потенциал - описывает влияние слоя электронной аккумуляции на внешнюю электрическую цепь. Полученная зависимость поверхностного потенциала от результирующего граничного электрического поля (включающего и индуцированное встроенным зарядом) довольно просто трансформирована в соответствующие вольт-фарадные характеристики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.