"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантовая модель аккумуляции электронов на заряженных границах сильно легированных полупроводниковых пленок
Гергель В.А.1, Верховцева А.В.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Построена новая квантовая модель аккумуляции электронов на положительно заряженных границах полупроводниковых пленок. Использованы известные представления о квантовании поперечного движения электронов в однородном электрическом поле, роль которого играет эффективное поле притяжения к положительным поверхностным донорным центрам. На соответствующих квазидискретных состояниях по правилам статистики Ферми размещены электроны с поверхностной плотностью, равной концентрации доноров. При разумных концентрациях все электроны аккумуляционного слоя сосредоточены в основном на первом уровне пространственного квантования. Началу заполнения третьего уровня отвечают сверхвысокие встроенные поля порядка атомных (108 В/см). Двукратным интегрированием уравнения Пуассона с электронной плотностью в виде квадратов соответствующих отрезков функции Эйри вычисляется профиль потенциала, описывающего взаимодействие электронов аккумуляционного слоя с другими заряженными частицами, в том числе с дырками. Его граничная величина --- поверхностный потенциал --- описывает влияние слоя электронной аккумуляции на внешнюю электрическую цепь. Полученная зависимость поверхностного потенциала от результирующего граничного электрического поля (включающего и индуцированное встроенным зарядом) довольно просто трансформирована в соответствующие вольт-фарадные характеристики.
  1. X.Wang, S.-B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 91, 242 111 (2007)
  2. W. Walukiewicz, J.W. Ager III, K.M. Yu, Z. Liliental-Weber, J. Wu, S.X. Li, R.E. Jones, J.D. Denlinger. J. Phys. D: Appl. Phys., 39, R83 (2006)
  3. L. Calakerol, T.D. Veal, H.-K. Jeong, L. Plucinski, A. DeMasi, T. Learmonth, P.-A. Glans, S. Wang, Y. Zhang, L.F.J. Piper, P.H. Jefferson, A. Fedorov, T.-Ch. Chen, T.D. Moustakas, C.F. McConville, K.E. Smith. Phys. Rev. Lett., 97, 237 601 (2006)
  4. Hai Lu, W.J. Schaff, L.F. Estman. Appl. Phys. Lett., 82, 1736 (2003)
  5. P.D.C. King, T.D. Veal, C.F. McConville. Phys. Rev., 77, 125 305 (2008)
  6. A.A. Klochikhin, V.Yu. Davydov, I.Yu. Strashkova, P.N. Brunkov, A.A. Gutkin, M.E. Rudinsky, H.-Y. Chen, S. Gwo. Phys. Status Solidi (RRL), 1 (4), 159 (2007)
  7. A.A. Klochikhin, V.Yu. Davydov, I.Yu. Strashkova, S. Gwo. Phys. Rev., 76, 235 325 (2007)
  8. М. Абрамовиц, И. Стиган. Справочник по специальным функциям (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.