"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Квантовая модель аккумуляции электронов на заряженных границах сильно легированных полупроводниковых пленок
Гергель В.А.1, Верховцева А.В.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Построена новая квантовая модель аккумуляции электронов на положительно заряженных границах полупроводниковых пленок. Использованы известные представления о квантовании поперечного движения электронов в однородном электрическом поле, роль которого играет эффективное поле притяжения к положительным поверхностным донорным центрам. На соответствующих квазидискретных состояниях по правилам статистики Ферми размещены электроны с поверхностной плотностью, равной концентрации доноров. При разумных концентрациях все электроны аккумуляционного слоя сосредоточены в основном на первом уровне пространственного квантования. Началу заполнения третьего уровня отвечают сверхвысокие встроенные поля порядка атомных (108 В/см). Двукратным интегрированием уравнения Пуассона с электронной плотностью в виде квадратов соответствующих отрезков функции Эйри вычисляется профиль потенциала, описывающего взаимодействие электронов аккумуляционного слоя с другими заряженными частицами, в том числе с дырками. Его граничная величина --- поверхностный потенциал --- описывает влияние слоя электронной аккумуляции на внешнюю электрическую цепь. Полученная зависимость поверхностного потенциала от результирующего граничного электрического поля (включающего и индуцированное встроенным зарядом) довольно просто трансформирована в соответствующие вольт-фарадные характеристики.
  • X.Wang, S.-B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 91, 242 111 (2007)
  • W. Walukiewicz, J.W. Ager III, K.M. Yu, Z. Liliental-Weber, J. Wu, S.X. Li, R.E. Jones, J.D. Denlinger. J. Phys. D: Appl. Phys., 39, R83 (2006)
  • L. Calakerol, T.D. Veal, H.-K. Jeong, L. Plucinski, A. DeMasi, T. Learmonth, P.-A. Glans, S. Wang, Y. Zhang, L.F.J. Piper, P.H. Jefferson, A. Fedorov, T.-Ch. Chen, T.D. Moustakas, C.F. McConville, K.E. Smith. Phys. Rev. Lett., 97, 237 601 (2006)
  • Hai Lu, W.J. Schaff, L.F. Estman. Appl. Phys. Lett., 82, 1736 (2003)
  • P.D.C. King, T.D. Veal, C.F. McConville. Phys. Rev., 77, 125 305 (2008)
  • A.A. Klochikhin, V.Yu. Davydov, I.Yu. Strashkova, P.N. Brunkov, A.A. Gutkin, M.E. Rudinsky, H.-Y. Chen, S. Gwo. Phys. Status Solidi (RRL), 1 (4), 159 (2007)
  • A.A. Klochikhin, V.Yu. Davydov, I.Yu. Strashkova, S. Gwo. Phys. Rev., 76, 235 325 (2007)
  • М. Абрамовиц, И. Стиган. Справочник по специальным функциям (М., Наука, 1979)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.