Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические характеристики тонкопленочных структур, созданных импульсным лазерным осаждением металлов Au, Ag, Cu, Pd, Pt, W, Zr на кристалл n-6H-SiC

Романов Р.И.¹, Зуев В.В.¹, Фоминский В.Ю.¹, Демин М.В.¹, Григорьев В.В.¹

¹Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 16 февраля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Импульсным лазерным осаждением металлических пленок Au, Ag, Cu, Pd, Pt, W, Zr на кристалл n-6H-SiC без предварительного приготовления эпитаксиального слоя созданы структуры, обладающие диодными характеристиками с коэффициентом идеальности, лежащим в интервале 1.28-2.14, и высотой потенциальных барьеров от 0.58 до 0.62 эВ со стороны полупроводника. При осаждении лазерно-инициированного потока атомов на границе металл-полупроводник формировалась большая концентрация поверхностных акцепторных и донорных состояний, что нарушало корреляцию между высотой потенциальных барьеров и работой выхода металлов. Значения высоты барьеров, определенные из значений характерных токов и емкостных измерений, достаточно хорошо совпадали. Определены размеры областей обеднения основными носителями (электронами), которые для используемого низкоомного полупроводника и использованных элементов контактов составили 26-60 нм.

А.Д. Кирюхин, В.В. Григорьев, А.В. Зуев, В.В. Зуев. ФТП, 42 (3), 271 (2008)
И.В. Грехов, П.А. Иванов, И.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонов. ФТП, 42 (2), 211 (2008)
R. Weiss, L. Frey, H. Ryssel. Appl. Surf. Sci., 184, 413 (2001)
M. Soshacki, A. Kolendo, J. Szmidt, A. Werlowy. Sol. St. Electron., 49, 585 (2005)
C.I. Muntele, D. Lla, E.K. Williams, D.B. Poker, D.K. Hensley, D.J. Larkin, L. Muntele. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1443 (2000)
В.Ю. Фоминский, Р.И. Романов, А.Г. Гнедовец, В.В. Зуев, М.В. Демин. ФТП, 44, 556 (2010)
Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 35 (4), 406 (2001)
Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) с. 104
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
J.R. Waldrop, R.W. Grant, Y.C. Wong, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 72 (10), 4757 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель