Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование границы раздела слой--подложка в структурах Si-SiO₂-p-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс

Венгер Е.Ф.¹, Кириллова С.И.¹, Корсунская Н.Е.¹, Старая Т.Р.¹, Хоменкова Л.Ю.¹, Саченко А.В.¹, Goldstein Y.², Savir E.², Jedrzejewski J.²

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Racah Institute of Physics, The Hebrew University, Jerusalem, Israel

Поступила в редакцию: 9 февраля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

PDF версия

Методом температурных зависимостей конденсаторной фотоэдс исследованы слои, полученные магнетронным напылением Si и SiO₂ на кремниевую подложку p-типа и содержащие кремниевые нанокристаллы в оксидной матрице. Изучено влияние на характеристики границы раздела слой-подложка ориентации подложки, а также естественного окисления слоя, предшествующего высокотемпературному отжигу, приводящему к образованию нанокристаллов Si в матрице SiO₂. Оценена плотность быстрых граничных состояний, захватывающих основные носители. Установлено, что в случае подложки с ориентацией (111) на границе раздела слой-подложка имеют место структурные изменения, вызванные напряжениями, возникающими при понижении температуры. Показано, что естественное окисление напыленного слоя, предшествующее высокотемпературному отжигу, вызывает рост величины заряда, встроенного в окисел.

Li-ping You, C.L. Heng, S.Y. Ma, Z.C. Ma, W.H. Zong, Zheng-Iong Wu, G.G. Qin. J. Cryst. Growth, 212, 109 (2000)
S. Charvet, R. Madelon, R. Rizk. Sol. St. Electron., 45, 1505 (2001)
T. Baron, F. Martin, P. Mur, C. Wyon, M. Dupuy, C. Busseret, A. Souifi, G. Guillot. Appl. Sufr. Sci., 164, 29 (2000)
D.H. Pearson, A.S. Edelstein. Nanostructured Mater., 11 (8), 1111 (1999)
H. Seifarth, R. Grotzchel, A. Markwitz, W. Matz, P. Nitzsche, L. Rebohle. Thin Sol. Films., 330, 202 (1998)
L.A. Nesbit. Appl. Phys. Lett., 46, 38 (1985)
L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias. J. Phys.: Condens. Mater., 15, S2887 (2003)
L. Khomenkova, N. Korsunska, V. Yukhimchuk, B. Jumayev, T. Torchynska, Vivas Hermandez, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir, J. Jedrzejewski. J. Luminecs., 102--103, 705 (2003)
A.R. Wilkinson, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 83 (26), 5512 (2003)
M. Baran, B. Bulakh, N. Korsunska, L. Khomenkova, J. Jedrzejewski. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 27, 285 (2004)
N. Daldosso, M. Luppi, S. Issicini, E. Degoli, R. Magri, G. Dalba, P. Formassini, R. Grisenti, F. Rossa, L. Pavesi, S. Boninelli, F. Friolo, C. Spinella, F. Iacona. Phys. Rev. B, 68, 085 327-1 (2003)
A. Puzder, A.J. Williamson, J.C. Grossman, G. Galli. Phys, Rev. Lett., 88, 097 401 (2002)
M. Luppi, S. Ossicini. J. Appl. Phys., 94, 2130 (2003)
I. Vasiliev, J.R. Chelikowsky, R.M. Martin. Phys. Rev. B, 65, 121 302(R) (2002)
М.Д. Ефремов, С.А. Аржанникова, В.А. Володин, Г.Н. Катаев, Д.В. Марин. Вестн. Новосиб. ГУ. Сер. физ., 2, 51 (2007)
И.В. Антонова, М.Б. Гуляев, З.Ш. Яновицкая, В.А. Волощин, Д.В. Марин, М.Д. Ефремов, Y. Goldstein, J. Jedrzejewski. ФТП, 40 (10), 1229 (2006)
I.V. Antonova, M.B. Gulyaev, E. Savir, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Phys. Rev. B, 77 (12), 125 318 (2008)
N. Baran, B. Bulakh, E. Venger, N. Korsunska, L. Khomenkova, T. Stara, Y. Goldstein, E. Savir, J. Jedrzejewski. Thin Sol. Films, 517, 5468 (2009)
В.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Физика легированной металлами поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988) гл. 5, с. 110
З.С. Грибников, В.И. Мельников. ФТП, 2 (9), 1352 (1968)
В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. УФЖ, 42, 1333 (1997)
С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, Г.Ф. Романова, П.И. Диденко, В.А. Чернобай. Микроэлектроника, 22 (3), 51 (1993)
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
Ю.А. Зарифьянц, В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, Ю.Ф. Новотоцкий-Власов. Вестн. МГУ, Физика, 16 (1), 84 (1975)
L. Khomenkova, N. Korsunska, T. Stara, Y. Goldstein, J. Jedrzejewski, E. Savir, C. Sada, Yu. Emirov. Def. Dif. Forum, 272, 87 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель