"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование гетероперехода p-Ge-n-GaAs при всестороннем давлении
Гаджиалиев М.М.1, Пирмагомедов З.Ш.1, Эфендиева Т.Н.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Экспериментально исследована вольт-амперная характеристика гетероперехода p-Ge-n-GaAs при всестороннем давлении до 8 ГПа и температуре 300 K. С использованием результатов эксперимента вычислен барический коэффициент края валентной зоны германия.
  1. W. Shockley, J. Bardeen. Phys. Rev., 77, 407 (1950)
  2. М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТТ, 46, 1766 (2004)
  3. Y. Kanda. Phys. Lett., 14, 289 (1965)
  4. R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.