Вышедшие номера
Выращивание молекулярно-пучковой эпитаксией и характеризация квантовых каскадных лазеров на длину волны 5 мкм
Мамутин В.В.1, Устинов В.М.1, Boetthcher J.2, Kuenzel H.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Fraunhofer Institut Nachrichtentechnik, Heinrich Hertz Institut, Berlin, Deutschland
Поступила в редакцию: 22 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

Продемонстрированы квантовые каскадные лазеры, полученные молекулярно-пучковой эпитаксией, излучающие на длине волны 5.0 мкм при 77 K и 5.2 мкм при 300 K, основанные на четырехъямной схеме активной области с вертикальными переходами и с напряженно-компенсированными сверхрешетками с высокой эффективностью инжекции и коротким временем жизни основного состояния. Типичные пороги генерации при 300 K были в пределах 4-10 кА/см2. Максимальная мощность излучения достигала ~1 Вт, максимальная температура генерации ~450 K, максимальная характеристическая температура составляла T0~ 200 K. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяло воспроизводимо получать высококачественные приборы.