Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Технология получения одномерных фотонных кристаллов с помощью фотоэлектрохимического травления кремния
Жарова Ю.А.1, Федулова Г.В.1, Гущина Е.В.1, Анкудинов А.В.1, Астрова Е.В.1, Ермаков В.А.2,3, Перова Т.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Dublin, Trinity College, Dublin 2, Ireland
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Dublin, Trinity College, Dublin 2, Ireland
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.
Анализируются условия формирования глубоких периодических щелей в процессе фотоэлектрохимического травления n-Si ориентации (100) с линейными затравками на поверхности. Сформулированы критерии для выбора периода затравочных канавок и для плотности тока травления в зависимости от уровня легирования подложки. Характерной особенностью полученных структур является гофрировка их стенок, обусловленная следами слившихся макропор. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована неровность стенок в зависимости от режима травления и найдена плотность тока, при которой можно получить наиболее гладкие стенки. Их шероховатость в структурах с периодом 7 и 9 мкм на Si с удельным сопротивлением 15 Ом·см составила ~40 нм. Показано, что дополнительная обработка структур в щелочных растворах может уменьшить шероховатость стенок примерно в 2 раза.
- Е.В. Астрова, Т.С. Перова, В.А. Толмачев, А.Д. Ременюк, J. Vij, A. Moore. ФТП, 37 (4), 417 (2003)
- V. Tolmachev, E. Astrova, T. Perova, J. Pilyugina, A. Moore. Phys. Status Solidi C, 2 (9), 3288 (2005)
- V.A. Tolmachev, E.V. Astrova, J.A. Pilyugina, T.S. Perova, A. Moore, J.K. Vij. Opt. Mater., 27 (5), 831 (2005)
- G. Barillaro, A. Nannini, F. Pieri. J. Electrochem. Soc., 149 (3), 180 (2002)
- G. Barillaro, A. Nannini, M. Piotto. Sensors Actuators A, 102, 195 (2002)
- E.V. Astrova, A.A. Nechitailov, V.A. Tolmachev, V.A. Melnikov, T.S. Perova. Phys. Status Solidi A, 206 (6), 1235 (2009)
- E.V. Astrova, G.V. Fedulova. J. Micromech. Microeng., 19, 095 009 (2009). http://stacks.iop.org/JMM/19/000000
- V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137, 653 (1990)
- V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Wiley--VCH, 2002)
- H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse. Mater. Sci. Eng. R, 39, 93 (2002)
- T. Geppert, S.L. Schweizer, U. Gosele, R.B. Wehrspohn. Appl. Phys. A, 84, 237 (2006)
- R.B. Wehrspohn, S.L. Schweizer, V. Sandoghdar. Phys. Status Solidi A, 204 (11), 3708 (2007)
- E.V. Astrova, V.A. Tolmachev, G.V. Fedulova, V.A. Melnikov, A.V. Ankudinov, T.S. Perova. In: Appl. Phys. A, DOI 10.1007/s00339-009-5469-7
- Е.В. Астрова, В.А. Толмачев, Г.В. Федулова, V.A. Melnikov, T.S. Perova. Изв. РАН. Сер. физ., 74 (1), 72 (2010)
- Е.В. Астрова, А.А. Нечитайлов. ФТП, 42 (6), 747 (2008)
- Е.В. Астрова, Т.Н. Боровинская, Т.С. Перова, М.В. Заморянская. ФТП, 38 (9), 1121 (2004)
- A. Zubel, M. Kramkowska. Sensors Actuators A, 93, 138 (2001)
- A. Zubel, M. Kramkowska. Sensors Actuators A, 101, 255 (2002)
- V. Lehmann. Phys. Status Solidi A, 204 (5), 1318 (2007)
- D. Nilsson, S. Jensen, A. Menon. J. Micromech. Microeng., 13, S57, (2003)
- E. van Veenendaal, K. Sato, M. Shikida, J. van Suchtelen. Sensors Actuators A, 93, 219 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
