"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-p-SiGe, Au-n-SiGe
Атабаев И.Г.1, Матчанов Н.А.1, Хажиев М.У.1, Пак В.1, Салиев Т.М.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 4 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Исследовано влияние различной химической обработки на свойства барьеров Шоттки Au-n-SiGe и Al-p-SiGe. Травление в различных режимах использовалось для формирования поверхности с различной плотностью поверхностных состояний (Dss). Показано, что высота барьеров исследованных структур коррелирует с плотностью поверхностных состояний Dss и содержанием германия в твердом растворе Si1-xGex.
  1. O. Nur, M. Willander, R. Turan, M.R. Sardela, G.V. Hansson, jr. Appl. Phys. Lett., 68, 1084 (1996)
  2. G.D. Scott, M. Xiao, H.W. Jiang, E.T. Croke, E. Yablonovitch. Appl. Phys. Lett., 90, 032110 (2007)
  3. М.С. Саидов, Р.А. Муминов, И.Г. Атабаев и др. Атом. энергия, 4, 270 (1996)
  4. Zs.J. Horvath, M. Adam, I. Szabo, M. Serenyi, Vo Van Tuyen. Appl. Surf. Sci., 190, 441 (2002)
  5. A. Keffous, M. Zitouni, Y. Belkacem, H. Menari, W. Chergui. Appl. Surf. Sci., 199, 22 (2002)
  6. H. Rahab, A. Kelous, H. Menari, W. Chergui, N. Boussaa, M. Siad. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 459, 200 (2001)
  7. G. Ottaviani, K.N. Tu, J. W Mayer. Phys. Rev. B, 24, 3354 (1981)
  8. В.Т. Малаева. Автореф. канд. дис. (Ташкент, 1985)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. (М., Мир, 1984) т. 1, с. 275. 285--287 и 395--397
  10. H.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.