"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические и морфологические свойства пленок CdTe, синтезированных методом молекулярного наслаивания
Майоров В.А.1, Яфясов А.М.1, Божевольнов В.Б.1, Раданцев В.Ф.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 25 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Пленки теллурида кадмия синтезированы методом молекулярного наслаивания на подложках из графита, слюды и кремния. Получены однородные фоточувствительные слои площадью 65 см2, толщиной от 0.5 до 5 мкм с концентрацией дырок 6.3·1016 см-3 (300 K).
  1. S.H. Demtsu, J.R. Sites. Thin Sol. Films, 510, 320 (2006)
  2. Chunliang Li, Norio Murase. Chem. Lett., 34 (1), 92 (2005)
  3. Н.А. Бабаев, В.С. Багаев. Письма ЖЭТФ, 37 (11), 524 (1983)
  4. N.H. Karam, R.G. Wolfson, I.B. Bhat, H. Ehsani, S.K. Ghandi. Thin Sol. Films, 225, 261 (1993)
  5. В.Б. Алексовский. Автореф. докт. дис. (Л., Технологический ин-т, 1952)
  6. Handbook series on semiconductor parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Scientific, Singapore--N. Y.--London--Hong Kong, 1996) v. 1
  7. Handbook series on semiconductor parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Scientific, Singapore--N. Y.--London--Hong Kong, 1996) v. 4
  8. Физические величины: Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоиздат, 1992)
  9. Физика соединений AIIBVI, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
  10. Ю.Я. Гуревич, Ю.В. Плесков. Фотоэлектрохимия полупроводников (М., Наука, 1983)
  11. П.П. Коноров, А.М. Яфясов. Физика поверхности полупроводниковых электродов (СПб., Изд-во СПбГУ, 2003)
  12. Powder Diffraction File --- Release 2006 (ICCD). PDF N 15--770.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.