"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Резко нелинейная вольт-амперная характеристика структуры с квантовой ямой, встроенной в обедненный слой барьера Шоттки
Король А.Н.1, Носенко И.В.1
1Национальный университет пищевых технологий, Министерства образования и науки Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 1 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Рассматривается гетероструктура, в которой квантовая яма образована в обедненном слое барьера Шоттки. Рассчитана и проанализирована прямая ветвь вольт-амперной характеристики данной структуры. Показано, что в широком диапазоне типичных значений параметров рассматриваемой структуры наблюдается N-образная резко нелинейная вольт-амперная характеристика с ярко выраженным участком отрицательного дифференциального сопротивления, причем ее контрастность достигает высоких значений.
  1. R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22, 562 (1973)
  2. А.Н. Король, О.В. Третяк, Д.И. Шека. ФНТ, 26, 1145 (2000)
  3. A.M. Korol, O.V. Tretyak, D.I. Sheka. Phys. Status. Solidi A, 188, 1169 (2001)
  4. G. Bastard. Phys. Rev. B, 25, 7584 (1982)
  5. C.J. Arsenault, M. Meunier. J. Appl. Phys., 66, 4305 (1989)
  6. F. Beltram, F. Capasso. Phys. Rev. B, 38, 3580 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.