"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
Кучерова О.В.1, Зубков В.И.1, Соломонов А.В.1, Давыдов Д.В.2,3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Впервые с помощью комплекса адмиттансной спектроскопии в широком интервале температур 6-300 K исследовались светоизлучающие гетероструктуры с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. В спектрах проводимости обнаружены три пика, соответствующие эмиссии носителей заряда из квантовых ям и из точечных дефектов, распределенных в объеме полупроводника. Два низкотемпературных пика обладают аномальным поведением: пик с малым значением наблюдаемой энергии активации (17 мэВ) оказывается смещенным в область больших температур по сравнению с более высокоэнергетичным пиком (30 мэВ). Последний ассоциируется с объемным дефектом, имеющим аномально большое сечение захвата sigman=1.5·10-11 см2.
  1. S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten. J. Appl. Phys., 87, 965 (2000)
  2. В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., Элмор, 2007)
  3. J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  4. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожановский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39, 886 (2005)
  5. О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, А.В. Соломонов. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2008) с. 181
  6. О.В. Кучерова, В.И. Зубков. Тез. докл. 3-й Всеросс. конф. по наноматериалам НАНО 2009. Екатеринбург, 20-24 апреля 2009 г. (Екатеринбург, Уральское изд-во, 2009) с. 566
  7. В.И. Зубков. ФТП, 41 (3), 331 (2007)
  8. D.V. Singh, K. Rim, T.O. Mitchell, J.L. Hoyt, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 85, 985 (1999)
  9. D.J. Kim. J. Appl. Phys., 88, 1929 (2000)
  10. K. Schmalz, I.N. Yassievich, H. Rucker, H.G. Grimmeiss, H. Frankenfeld, W. Mehr, H.J. Osten, P. Schley, H.P. Zeindl. Phys. Rev. B, 50, 14 287 (1994)
  11. В.И. Зубков, Ким Ха Ен, А.А. Копылов, А.В. Соломонов. ФТП, 25, 2163 (1991)
  12. А.В. Соломонов. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2000)
  13. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Properties of advanced semiconuctors materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (Wiley-IEEE, 2001)
  14. W. Gotz, N.M. Johnson, C. Chen, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler. Appl. Phys. Lett., 68, 3144 (1996)
  15. C.M.A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, R. Heitz, M. Grundmann, N.D. Zakharov, D. Bimberg, P. Werner. Phys. Rev. B, 60 14 265 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.