"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001)
Новиков А.В.1, Яблонский А.Н.1, Платонов В.В.2, Оболенский С.В.3, Лобанов Д.Н.1, Красильник З.Ф.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Саровский физико-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, Саров, Нижегородская область, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Выполнены исследования влияния радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур Si/Ge с различной степенью пространственной локализации носителей заряда. Показано, что радиационная стойкость гетероструктур Si/Ge увеличивается по мере роста эффективности локализации носителей заряда в них. Пространственная локализация носителей заряда в SiGe-наноструктурах уменьшает вероятность их безызлучательной рекомбинации на радиационных дефектах, созданных в Si-матрице. Продемонстрировано, что наибольшей радиационной стойкостью из исследованных структур обладают люминесцентные свойства многослойных структур с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками, в которых реализована наиболее эффективная пространственная локализация носителей зарядя: трехмерная для дырок в островках и двухмерная для электронов в Si-слоях, разделяющих соседние слои с островками.
  1. M.R. Leon, G.M. Swift, B. Magness, W.A. Taylor, Y.S. Tang, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 76, 2074 (2000)
  2. M.B. Huang, J. Zhu, S. Oktyabrsky. Nucl. Instrum. Meth B, 211, 505 (2003)
  3. A. Fonseca, N.A. Sobolev, J.P. Leitao, E. Alves, M.C. Carmo, N.D. Zakharov, P. Werner, A.A. Tonkikh, G.E. Cirlin. J. Luminecs., 121, 417 (2006)
  4. J.P. Leitao, N.M. Santos, N.A. Sobolev, M.R. Correia, N.P. Stepina, M.C. Carmoa, S. Magalhaes, E. Alves, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Mater. Sci. Eng. B, 147, 191 (2008)
  5. D.J. Paul. Semicond. Sci. Technol., 19, R75 (2004)
  6. R. Apetz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker, H. Luth. Appl. Phys. Lett., 66, 445 (1995)
  7. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. ФТП, 37, 1383 (2003)
  8. Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТТ, 46, 63 (2004)
  9. Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский. ФТП, 42, 291 (2008)
  10. В.С. Багаев, В.В. Зайцев, В.С. Кривобок, Д.Н. Лобанов, С.Н. Николаев, А.В. Новиков, Е.Е. Онищенко. ЖЭТФ, 134, 988 (2008)
  11. O.G. Schmidt, K. Eberl, Y. Rau. Phys. Rev. B, 62, 16 715 (2000)
  12. G. Davies. Phys. Reports, 176, 83 (1989)
  13. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67, 46 (1998)
  14. S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Komiyama. Thin Sol. Films, 321, 65 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.