"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации
Феклистов К.В.1, Федина Л.И.1, Черков А.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Преципитация бора, имплантированного в Si с дозой 1·1016см-2, исследована в зависимости от концентрации узлового бора (CB0), введенного до имплантации, и последующего отжига при 900oC. Показано, что CB0=2.5·1020см-3 является критическим значением, при котором образование преципитатов не зависит от концентрации точечных дефектов, введенных имплантацией ( вдали или вблизи от среднего проецированного пробега Rp), и является доминирующим каналом деактивации бора. При меньших значениях CB0, приближающихся к равновесному значению, преципитация наблюдается лишь вдали от Rp, в областях с пониженной концентрацией точечных дефектов. В то время как в области Rp с высокой концентрацией точечных дефектов большая часть атомов бора вовлекается в кластеризацию собственных межузельных атомов с образованием дислокационных петель и также становится электрически неактивной.
  1. W.K. Hofker, H.W. Werner, D.P. Osthoek, N.J. Koeman. Appl. Phys., 4, 125 (1974)
  2. E. Landi, A. Armigliato, S. Solmi, R. Kogler, E. Wieser. Appl. Phys. A, 47, 359 (1988)
  3. S. Solmi, E. Landi, F. Baruffaldi. J. Appl. Phys., 68, 3250 (1990)
  4. А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Х. Барч, Д. Хеэль. Скопления межузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, Наука, 1991) с. 45. [A. Aseev, L. Fedina, D. Hoehl, H. Barch. Clusters of Interstitial Atoms in Silicon and Germanium (Berlin, Academy Verlag, 1994) p. 59]
  5. Л.И. Федина, А.Л. Асеев. ФТТ, 32, 60 (1990)
  6. G. Mannino, V. Privitera, S. Solmi, N. Cowern. Nucl. Instrum Meth. Phys. Res. B, 186, 246 (2002)
  7. E.J. Collart, A.J. Murrell, M.A. Foad, J.A. van den Berg, S. Zhang, D. Armour, R.D. Goldberg, T.S. Wang, A.G. Cullis, T. Clarysse, W. Vandervorst. J. Vac. Technol. B, 18, 435 (2000)
  8. F. Cristiano, X. Hebras, N. Cherkashin, A. Claverie, W. Lerch, S. Paul. Appl. Phys. Lett., 83, 5407 (2003)
  9. L. Pelaz, G.H. Gilmer, H.-J. Gossmann, C.S. Rafferty, M. Jaraiz, J. Barbolla. Appl. Phys. Lett., 74, 3657 (1999)
  10. W. Windl, Xiang-Yang Liu, M.P. Masquelier. Phys. Status Solidi B, 226, 37 (2001)
  11. A.L. Aseev, V.M. Astachov, O.P. Pcheljakov, J. Heydenreich, G. Kastner, D. Hoehl. Cryst. Res. Technol., 14, 1405 (1979)
  12. S. Takeda, M. Kohyama, K. Ibe. Phil. Mag. A, 70, 287 (1994)
  13. D.J. Eaglesham, P.A. Stolk, H.-J. Gossmann, T.E. Haynes, J.M. Poate. Nucl. Instrum Meth. Phys. Res. B, 106, 191 (1995)
  14. L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. van Landuyt, J. Vanhellemont. Phys. Status Solidi A, 171, 147 (1999)
  15. L. Fedina, A. Aseev. Phys. Status Solidi A, 95, 517 (1986)
  16. S.M. Myers, G.A. Petersen, T.H. Headley, J.R. Michael, T.S. Aselage, C.H. Seager. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 127/128, 291 (1997)
  17. I. Mizushima, Y. Mitani, M. Koike, M. Yoshiki, M. Tomita, Kambayashi. Jpn. J. Appl. Phys., 37, 1171 (1998)
  18. J. Xia, T.Saito, R. Kim, T. Aoki, Y. Kamakura, K. Taniguchi. Appl. Phys., 85, 7597 (1999)
  19. А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. ФТП, 31, 703 (1997)
  20. В.И. Ободников, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 417 (1998)
  21. J. Zhu, T.D. dela Rubia, L.H. Yang, C. Mailhiot, G.H. Gilmer. Phys. Rev. B, 54, 4741 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.