"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3.3 мкм)
Астахова А.П.1, Головин А.С.1, Ильинская Н.Д.1, Калинина К.В.1, Кижаев С.С.1, Серебренникова О.Ю.1, Стоянов Н.Д.1, Horvath Zs.J.2, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Hungarian Academy of Sciences, Budapest 114, Hungary
Поступила в редакцию: 1 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3.3-3.4 мкм достигал величины 22.3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5.5 мВт при токе 9 А.
  1. М.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, В.Д. Румянцев. ФТП, 9 (3), 462 (1975)
  2. I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 62, 131 (1993)
  3. M.J. Kane, G. Braitnwaite, M.T. Emeny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76, 943 (2000)
  4. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А., Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 42 (6), 641 (2008)
  5. D.G. Gevaux, A.M. Green, C.C. Philips, I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, J.R. Meyer, H. Lee, R. Martinelly. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 351 (2003)
  6. Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.В. Пушный, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 980 (2003)
  7. S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, B.V. Pushnyi, Yu.P. Yakovlev. J. Cryst. Growth, 248, 296 (2003)
  8. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38 (3), 374 (2008)
  9. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
  10. L. Esaki. Phys. Rev., 109, 603 (1958)
  11. B.H. Rhoderick. Metal--Semiconductor Contacts (London--Oxford, 1980)
  12. A. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979). [Пер. с англ.: A.A. Bergh, P.J. Dean. Light-emitting diodes (Claredon Press, Oxford, 1980)]
  13. A. Krier, V.V. Sherstnev. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 101 (2000)
  14. J.R. Dixon, J.M. Ellis. Phys. Rev., 124, 1231 (1961)
  15. О. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП, 4, 1939 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.