"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Памяти Бориса Андреевича Волкова
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
[!t] 31 мая 2009 г. ушел из жизни Борис Андреевич Волков --- замечательный ученый, доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Физического института им. П. Н. Лебедева РАН. Б. А. Волков в 1964 г. окончил Московкий энергетический институт, в 1976 г. защитил кандидатскую диссертацию, а в 1983 г. --- докторскую. Начиная с 1966 г. Б. А. Волков работал в Отделении теоретической физики Физического института им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН), в течение многих лет был заведующим сектором теории твердого тела Отделения теоретической физики им. И. Е. Тамма (ОТФ). Выдающиеся результаты, полученные Б. А. Волковым, были удостоены Государственной премии СССР в 1985 г. и Государственной премии России в 1995 г. Научные труды Б. А. Волкова посвящены квантовой теории твердого тела, в частности физики полупроводников. Им опубликовано более 100 научных работ, среди которых 6 монографических обзоров. В середине 1960-х годов им была предложена модель, объясняющая причины уменьшения энергий активации примесей при росте их концентрации в классических полупроводниках (кремний и германий) в режимах зонной и прыжковой проводимости. Это явление в случае зонной проводимости связано с увеличением перекрытия волновых функций примесей, а в случае прыжковой проводимости --- с различием поляризаций примесных пар, находящихся вдали или вблизи от заряженного центра. В конце 1970-х и начале 1980-х годов Б. А. Волковым была создана теория происхождения электронных спектров и кристаллических структур узкощелевых полупроводников типа IV-VI и полуметаллов V группы. Теория позволила с единых позиций объяснить электрофизические, диэлектрические и оптические свойства этих веществ, долгое время казавшиеся совершенно аномальными, описать их фононные спектры и выяснить причину сегнетоэлектрического фазового перехода в полупроводниках IV-VI. С помощью развитой им теории Б. А. Волков вычислил электронные спектры и зарядовые состояния точечных дефектов (вакансий) в этих полупроводниках, играющих ключевую роль в электрофизике этих соединений. Все эти результаты были подтверждены экспериментально. В результате исследований Б. А. Волкова физические свойства полупроводников типа IV-VI стали столь же понятными, как и свойства классических алмазоподобных полупроводников --- германия и кремния. В работах Б. А. Волкова и его соавторов был изучен совершенно новый тип неоднородных полупроводниковых структур --- инверсные (суперсимметричные) контакты, когда на границе двух полупроводников IV-VI разного состава происходит инверсия валентной зоны и зоны проводимости. В отличие от стандарных квантовых ям, в этих контактах связанные двумерные состояния появляются уже при наличии лишь одной границы раздела двух сред. Эти состояния интересны тем, что они имеют дираковский спектр, а существующая в них так называемая "нулевая мода", является безмассовым нейтриноподобным состоянием вейлевского типа. Сейчас интерес к таким состояниям в твердом теле возник в связи с открытием и исследованием графена. К сожалению, далеко не все знают, что в работах Б. А. Волкова многие свойства таких состояний и, в частности, их поведение во внешних электрических и магнитных полях были изучены задолго до открытия графена. В этих же работах было показано, что на доменных стенках в сегнетоэлектрическом состоянии полупроводников IV-VI могут возникать совершенно иного типа бездисперсные двумерные электронные состояния, схожие с "тяжелыми" фермионами. В таких системах возможно возникновение целого ряда интересных эффектов, аналогичных тем, что возникают в кристаллах с резкоземельными атомами. В последнее время Б. А. Волков активно занимался теорией примесей III группы в полупроводниках IV-VI и явлениями долговременной релаксации неравновесных носителей в них. Им была установлена связь указанных явлений с возможностью существования у элементов этой группы (индий, галлий) в химических соединениях двух устойчивых состояний с валентностями 1 или 3. В этой схеме находит свое естественной объяснение и природа долговременной релаксации неравновесных носителей. Подавляющее большинство работ Б. А. Волкова шло от эксперимента и стимулировало дальнейшие экспериментальные исследования. Б. А. Волков вел большую научно-организационную работу. Он был заместителем председателя Ученого совета ОТФ, членом двух экспертных советов ФИАН. В течение долгого времени он был руководителем одного из наиболее авторитетных семинаров Москвы по теории твердого тела в ОТФ ФИАН. Под его руководством защищено 9 кандидатских и 2 докторских диссертации. Преданность науке, широкий научный кругозор, готовность оказать профессиональную помощь и доброжелательность создали Б. А. Волкову большой авторитет и уважение среди коллег. Он обладал замечательной способностью придти на помощь в трудных жизненных обстоятельствах. Борис Андреевич Волков навсегда останется в памяти всех коллег и учеников, кто его знал. П. И. Арсеев, М. А. Васильев, Л. В. Келдыш, Ю. В. Копаев, Е. Г. Максимов, М. В. Садовский, Н. Н. Сибельдин, Р. А. Сурис, Л. А. Фальковский, Д. Р. Хохлов Коллеги и друзья Редколлегия журнала << Физика и техника полупроводников>>
  1. М.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, В.Д. Румянцев. ФТП, 9 (3), 462 (1975)
  2. I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 62, 131 (1993)
  3. M.J. Kane, G. Braitnwaite, M.T. Emeny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76, 943 (2000)
  4. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А., Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 42 (6), 641 (2008)
  5. D.G. Gevaux, A.M. Green, C.C. Philips, I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, J.R. Meyer, H. Lee, R. Martinelly. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 351 (2003)
  6. Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.В. Пушный, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 980 (2003)
  7. S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, B.V. Pushnyi, Yu.P. Yakovlev. J. Cryst. Growth, 248, 296 (2003)
  8. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38 (3), 374 (2008)
  9. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
  10. L. Esaki. Phys. Rev., 109, 603 (1958)
  11. B.H. Rhoderick. Metal--Semiconductor Contacts (London--Oxford, 1980)
  12. A. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979). [Пер. с англ.: A.A. Bergh, P.J. Dean. Light-emitting diodes (Claredon Press, Oxford, 1980)]
  13. A. Krier, V.V. Sherstnev. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 101 (2000)
  14. J.R. Dixon, J.M. Ellis. Phys. Rev., 124, 1231 (1961)
  15. О. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП, 4, 1939 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.