"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In0.53Ga0.47As с изовалентным легированием
Карлина Л.Б.1, Власов А.С.1, Кулагина М.М.1, Ракова Е.П.1, Тимошина Н.Х.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In0.53Ga0.47As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7.4-7.35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1.5D Low AOD.
  1. D.M. Wilt, R. Wehrer, M. Palmisiano, M. Wanlass, Ch. Murray. Semicond. Sci. Technol., 18, S209 (2003)
  2. M. Emziane, R.J. Nicholas. Appl. Phys., 101, 054 503 (2007)
  3. L.B. Karlina, B.J. Ber, M.M. Kalugina, A.P. Kovarsky, C. Vargas-Aburto, R.M. Uribe, D. Brinker, D. Scheiman. Proc. 28th IEEE PVSC (Alaska, 2000) p. 1230
  4. L.B. Karlina, M.M. Kulagina, M.Z. Shvarts, A.S. Vlasov, V.M. Andreev. Proc. 21st Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Dresden, 2006) p. 473
  5. Л.Б. Карлина, А.С. Власов, М.М. Кулагина, Н.Х. Тимошина. ФТП, 40 (3), 351 (2006)
  6. A. Jalil, B. Theys, J. Chevallier, A.M. Huder, C. Grattepain, P. Hietz. Appl. Phys. Lett., 57 (26), 2791 (1990)
  7. B. Karlina, M.M. Kulagina, N.Kh. Timoshina, A.S. Vlasov, V.M. Andreev. Proc. 7th World TPV Conf. Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Madrid, Spain, 2006) p. 182
  8. M.A. Steiner, J.F. Geisz, R.C. Reedy, jr., S. Kurtz. Proc. 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (San Diego, 2008) p. 143
  9. A.M. Mintairov, H. Temkin. Phys. Rev. B, 55 (8), 5117 (1997)
  10. S. Hernandez, N. Blanko, I. Martil, G. Gonzalez-Diaz, R. Cusco, L. Artus. J. Appl. Phys., 93 (11), 9019 (2003)
  11. D. Donetsky, S. Anikeev, N. Gu, M. Dashiell, H. Ehsani, F. Newman, M. Wanlass, C. Wang. Proc. 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Hawaii, 2006) p. 764
  12. В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989)
  13. L.B. Karlina, V.V. Evstropov, V.S. Kalinovsky, M.M. Kulagina, N.H. Timoshina, A.V. Vlasov, V.M. Andreev. Proc. 22 Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Milan, 2007) p. 520
  14. P.R. Sharps, A. Cornfeld, M. Stan, A. Korostyshevsky. 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (San Diego, 2008) p. 511

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.