Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела органических диэлектриков
1Московский инженерно-физический институт (Национальный исследовательский ядерный университет), Москва, Россия
2Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
2Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
Проведен теоретический анализ прыжковой подвижности носителей заряда (как поверхностной, так и объемной) при наличии электронно-дырочных пар. Предложена физическая модель электропроводности металлического типа вдоль границы раздела (интерфейса) органических материалов, каждый из которых в отдельности является диэлектриком. Причиной является образование на границе раздела геминальных пар с достаточно высокой поверхностной плотностью. Определены условия, при которых для значительной части носителей заряда переходы между молекулами не требуют термической активации и туннелирования. Численным моделированием получены оценки величин поверхностной электропроводности и подвижности носителей заряда.
- W.R. Salaneck, K. Seki, A. Kahn, J.-J. Pireaux (Marcel Dekker, NY., 2002)
- R.H. Friend, R.W. Gymer, A.B. Holmes, J.H. Burroughes et al. Nature, 397, 121 (1999)
- J.-M. Zhuo, L.-H. Zhao, P.-J. Chia, W.-S. Sim, R.H. Friend, P.K.H. Ho. Phys. Rev. Lett., 100, 186 601 (2008)
- H. Shimotani, G. Diguet, Y. Iwasa. Appl. Phys. Lett., 86, 022 104 (2005)
- M.J. Panzer, C.D. Frisbie. Adv. Func. Mater., 16, 1051 (2006)
- S. Fratini, H. Xie, I.N. Hulea, S. Ciuchi, A.F. Morpurgo. New J. Phys., 10, 033 031 (2008)
- Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, Р.А. Рахмеев. Письма ЖТФ, 34, 88 (2008)
- H. Alves, A.S. Molinari, H. Xie, A.F. Morpurgo. Nature Mater., 7, 574 (2008)
- В.Ф. Иванов, О.Л. Грибкова, А.В. Ванников. Электрохимия, 42, 304 (2006)
- J. Ferraris, V. Walatka, J.H. Perlstei, D.O. Cowan. J. Amer. Chem. Soc., 95, 948 (1973)
- L.B. Shein, M. LaHa, D. Novotny. Phys. Lett. A, 167, 79 (1992)
- L. Lindell, M. Unge, W. Osikowich, S. Staftstrom, W.R. Salaneck, X. Crispin, M.P. de Jong. Appl. Phys. Lett., 92, 163 302 (2008)
- M. Fahlman, A. Crispin, X. Crispin, S.K.M. Henze, M.P. de Jong, W. Osikowicz, C. Tengstelt, W.R. Salaneck. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 183 202 (2007)
- H. Bassler. Phys. Status Solidi B, 75, 15 (1993)
- S.V. Novikov, G.G. Malliaras. Nonlinear Opt., Quant. Opt., 37, 239 (2007)
- V.I. Arkhipov, E.V. Emelianova, P. Heremans, H. Bassler. Phys. Rev. B, 72, 235 202 (2005)
- V.R. Nikitenko, A.R. Tameev, A.V. Vannikov, A.N. Lachinov, H. Bassler. Appl. Phys. Lett., 92. 153 307 (2008)
- В.Р. Никитенко, А.П. Тютнев. ФТП, 41, 1118 (2007)
- E.V. Emelianova, M. van der Auweraer, G.I. Adriaenssens, A. Stesmans. Org. Electron., 9, 129 (2008)
- V.I. Arkhipov, P. Heremans, E.V. Emelianova, G.I. Adriaenssens, H. Bassler. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 9899 (2007)
- В.Р. Никитенко, А.Р. Тамеев, А.В. Ванников. Письма ЖТФ, 35, 81 (2009)
- T. Mori. J. Phys.: Condens. Matter, 20, 184 010 (2007)
- Б.И. Шкловский, А.М. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
