"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела органических диэлектриков
Никитенко В.Р.1, Тамеев А.Р.2, Ванников А.В.2
1Московский инженерно-физический институт (Национальный исследовательский ядерный университет), Москва, Россия
2Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Проведен теоретический анализ прыжковой подвижности носителей заряда (как поверхностной, так и объемной) при наличии электронно-дырочных пар. Предложена физическая модель электропроводности металлического типа вдоль границы раздела (интерфейса) органических материалов, каждый из которых в отдельности является диэлектриком. Причиной является образование на границе раздела геминальных пар с достаточно высокой поверхностной плотностью. Определены условия, при которых для значительной части носителей заряда переходы между молекулами не требуют термической активации и туннелирования. Численным моделированием получены оценки величин поверхностной электропроводности и подвижности носителей заряда.
  1. W.R. Salaneck, K. Seki, A. Kahn, J.-J. Pireaux (Marcel Dekker, NY., 2002)
  2. R.H. Friend, R.W. Gymer, A.B. Holmes, J.H. Burroughes et al. Nature, 397, 121 (1999)
  3. J.-M. Zhuo, L.-H. Zhao, P.-J. Chia, W.-S. Sim, R.H. Friend, P.K.H. Ho. Phys. Rev. Lett., 100, 186 601 (2008)
  4. H. Shimotani, G. Diguet, Y. Iwasa. Appl. Phys. Lett., 86, 022 104 (2005)
  5. M.J. Panzer, C.D. Frisbie. Adv. Func. Mater., 16, 1051 (2006)
  6. S. Fratini, H. Xie, I.N. Hulea, S. Ciuchi, A.F. Morpurgo. New J. Phys., 10, 033 031 (2008)
  7. Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, Р.А. Рахмеев. Письма ЖТФ, 34, 88 (2008)
  8. H. Alves, A.S. Molinari, H. Xie, A.F. Morpurgo. Nature Mater., 7, 574 (2008)
  9. В.Ф. Иванов, О.Л. Грибкова, А.В. Ванников. Электрохимия, 42, 304 (2006)
  10. J. Ferraris, V. Walatka, J.H. Perlstei, D.O. Cowan. J. Amer. Chem. Soc., 95, 948 (1973)
  11. L.B. Shein, M. LaHa, D. Novotny. Phys. Lett. A, 167, 79 (1992)
  12. L. Lindell, M. Unge, W. Osikowich, S. Staftstrom, W.R. Salaneck, X. Crispin, M.P. de Jong. Appl. Phys. Lett., 92, 163 302 (2008)
  13. M. Fahlman, A. Crispin, X. Crispin, S.K.M. Henze, M.P. de Jong, W. Osikowicz, C. Tengstelt, W.R. Salaneck. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 183 202 (2007)
  14. H. Bassler. Phys. Status Solidi B, 75, 15 (1993)
  15. S.V. Novikov, G.G. Malliaras. Nonlinear Opt., Quant. Opt., 37, 239 (2007)
  16. V.I. Arkhipov, E.V. Emelianova, P. Heremans, H. Bassler. Phys. Rev. B, 72, 235 202 (2005)
  17. V.R. Nikitenko, A.R. Tameev, A.V. Vannikov, A.N. Lachinov, H. Bassler. Appl. Phys. Lett., 92. 153 307 (2008)
  18. В.Р. Никитенко, А.П. Тютнев. ФТП, 41, 1118 (2007)
  19. E.V. Emelianova, M. van der Auweraer, G.I. Adriaenssens, A. Stesmans. Org. Electron., 9, 129 (2008)
  20. V.I. Arkhipov, P. Heremans, E.V. Emelianova, G.I. Adriaenssens, H. Bassler. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 9899 (2007)
  21. В.Р. Никитенко, А.Р. Тамеев, А.В. Ванников. Письма ЖТФ, 35, 81 (2009)
  22. T. Mori. J. Phys.: Condens. Matter, 20, 184 010 (2007)
  23. Б.И. Шкловский, А.М. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  24. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.