"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Видимая фотолюминесценция селективно травленных пористых nc-Si-SiOx-структур
Индутный И.З.1, Михайловская Е.В.1, Шепелявый П.Е.1, Данько В.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 3 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Представлены результаты первых исследований влияния селективного травления на фотолюминесценцию пористых nc-Si-SiOx структур, которые содержат нанокластеры кремния (nc-Si) в матрице SiOx. В исходных образцах при комнатной температуре наблюдаются интенсивные полосы фотолюминесценции с максимумами при 840 и 660 нм, обусловленные излучательной рекомбинацией свободных (либо связанных в экситоны) носителей, которые возбуждаются в nc-Si. В результате селективного травления nc-Si-SiOx-структур в 1% растворе HF эти полосы значительно сдвигаются в более высокоэнергетическую область спектра. Предполагается, что эволюция спектров вызвана уменьшением размеров кремниевых наночастиц вследствие травления оксида и доокисления nc-Si. Полученные результаты показывают, что с помощью селективного травления оксидной матрицы можно управлять спектрами излучения пористых nc-Si-SiOx-структур.
  1. M. Molinary, H. Rinnert, H. Vergnat. Appl. Phys. Lett., 82 (22), 3877 (2003)
  2. В.Я. Братусь, В.А. Юхимчук, Л.И. Бережинский, М.Я. Валах, И.П. Ворона, И.З. Индутный, Т.Т. Петренко, П.Е. Шепелявый, И.Б. Янчук. ФТП, 35 (7), 854 (2001)
  3. D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister. J. Appl. Phys., 92 (8), 4678 (2002)
  4. И.П. Лисовский, И.З. Индутный, Б.Н. Гненный, П.М. Литвин, Д.О. Мазунов, А.С. Оберемок, Н.В. Сопинский, П.Е. Шепелявый. ФТП, 37 (1), 98 (2003)
  5. J. Heitmann, F. Muller, M. Zacharias, U. Gosele. Adv. Mater., 17, 795 (2005)
  6. I.Z. Indutnyy, I.Yu. Maidanchuk, V.I. Min'ko, P.E. Shepelyavyi, V.A. Dan'ko. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7 (3), 1231 (2005)
  7. И.З. Индутный, И.Ю. Майданчук, В.И. Минько, П.Е. Шепелявый, В.А. Данько. ФТП, 41 (10), 1265 (2007)
  8. I.Z. Indutnyy, V.S. Lysenko, I.Yu. Maidanchuk, V.I. Min'ko, A.N. Nazarov, A.S. Tkachenko, P.E. Shepeliavyi, V.A. Dan'ko. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 9 (1), 9 (2006).
  9. В.А. Данько, И.З. Индутный, И.Ю. Майданчук, В.И. Минько, П.Е. Шепелявый. Оптоэлектрон. полупроводн. техн., 41, 92 (2006)
  10. В.А. Данько, И.З. Индутный, И.Ю. Майданчук, В.И. Минько, П.Е. Шепелявый, В.А. Юхимчук. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 39, 65 (2004)
  11. С.В. Свечников, Э.В. Каганович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 39, 5 (2004)
  12. П.К. Каширова, Б.В. Каменев, Е.А. Константинова, А.И. Ефимова, А.В. Павликов, В.Ю. Тимошенко. УФН, 168, 577 (1998)
  13. I.Z. Indutnyi, K.V. Michailovska, V.I. Min'ko, P.E. Shepelyavyi. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 12 (2), 105 (2009)
  14. G. Faraci, S. Gibilisco, A.R. Rennisi, G. Franzo, S.La Rosa, L. Lozzi. Phys. Rev. B, 78, 245 425 (2008)
  15. G. Ledoux, O. Guillois, D. Porterat, C. Reynaud, F. Huisken, B. Kohn, V. Pallard. Phys. Rev. B, 62, 15 942 (2000)
  16. Xiaoming Wen, Lap Van Dao, Peter Hannaford. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 3573 (2007)
  17. A.R. Brodford, G. Hass, M. McFarland. Appl. Optics, 4 (8), 971 (1965)
  18. M. Wang, D. Yang, D. Li, Z. Yuan, D. Que. J. Appl. Phys., 101, 103 504 (2007)
  19. K. Nishio, J. Koga. Phys. Rev. B, 67, 195 304 (2004)
  20. Y. Kanemitsu. J. Luminecs., 100, 209 (2002)
  21. K. Nishio, J. Koga, T. Yamaguchi, F. Yonezawa. Phys. Rev. B, 67, 195 303 (2003)
  22. G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett., 78, 3161 (1997)
  23. C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993)
  24. L.W. Wang, A. Zunger. J. Phys. Chem., 98, 2158 (1994)
  25. T. Takagahara, K. Takeda. Phys. Rev. B, 46, 15 578 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.